特許
J-GLOBAL ID：201403038809825755

半導体装置の製造方法

発明者：
牧 浩

牧 浩 について

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望月 政幸

望月 政幸 について

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高野 隆一

高野 隆一 について

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蒔田 美明

蒔田 美明 について

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深沢 春彦

深沢 春彦 について

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灘本 啓祐

灘本 啓祐 について

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大久保 達行

大久保 達行 について


出願人/特許権者：
ルネサスエレクトロニクス株式会社

ルネサスエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-131521
公開番号（公開出願番号）：特開2012-199585
特許番号：特許第5431533号
出願日： 2012年06月11日
公開日（公表日）： 2012年10月18日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 以下の工程を含む半導体装置の製造方法: (a)主面が分割領域によって複数のチップ領域に区画され、前記チップ領域の各々に集積回路が形成され、裏面にDAFを貼付し、更に前記DAF上に粘着テープが貼付された半導体ウエハを用意する工程、 (b)前記分割領域に沿って前記半導体ウエハと前記DAFとを切断して複数の半導体チップに分割し、前記複数の半導体チップを前記粘着テープで保持する工程、 (c)前記粘着テープで保持された前記複数の半導体チップのうち、前記粘着テープからの剥離対象となる半導体チップの上面を吸着コレットで第1の吸引力で吸着および保持することにより、前記半導体チップの下面に貼付けられ、個片化された前記DAFに振動を加えて、前記半導体チップと個片化された前記DAFとを一緒に前記粘着テープから剥離する工程、 (d)前記(c)工程後、前記半導体チップの前記上面を前記吸着コレットで前記第1の吸引力より小さい第2の吸引力で吸着および保持しつつ、前記半導体チップの下面を、個片化された前記DAFを介してチップ実装領域にダイボンディングする工程。 ここで、前記第1の吸引力は、前記半導体チップを、個片化された前記DAFと一緒に前記粘着テープから剥離することのできる吸着力であり、 前記第2の吸引力は、前記第1の吸引力よりも小さく、前記半導体チップを前記吸着コレットから落下させない吸引力であり、 前記半導体チップの中央部での前記振動の伝達と、前記半導体チップの周辺部での前記振動の伝達とが制御され、前記中央部での前記振動は、前記周辺部での前記振動よりも伝達し難い。
IPC (3件)：
H01L 21/52 ( 200 6.01) ,  H01L 21/301 ( 200 6.01) ,  H01L 21/677 ( 200 6.01)
FI (4件)：
H01L 21/52 F ,  H01L 21/78 Q ,  H01L 21/78 Y ,  H01L 21/68 B
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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