特許
J-GLOBAL ID：201403039943859778

半導体装置

発明者：
山本 祐広

山本 祐広 について


出願人/特許権者：
セイコーインスツル株式会社

セイコーインスツル株式会社 について


代理人 (3件)： 久原 健太郎 ,  内野 則彰 ,  木村 信行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-018754
公開番号（公開出願番号）：特開2014-150190
出願日： 2013年02月01日
公開日（公表日）： 2014年08月21日
要約：
【課題】ボンディングパッドの下の層間絶縁膜にクラックが入ることを防止する。【解決手段】第一金属膜12と第2金属膜15との間に小径金属プラグ14aと大径金属プラグ14bを配置し、大径金属プラグ14bの上方の第二金属膜15表面に凹部17を設ける。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ボンディングパッドを有する半導体装置であって、 第一層間絶縁膜上の第一金属膜と、 前記第一金属膜上の第二層間絶縁膜と、 前記第二層間絶縁膜を貫通して形成された金属プラグと、 前記第二層間絶縁膜上に前記金属プラグを介して電気的に接続して設けられた第二金属膜からなる前記ボンディングパッドと、 を備え、 前記金属プラグは大径の第一金属プラグを含み、前記第一金属プラグに前記第二金属膜が入り込むことで、前記第一金属プラグ直上の前記ボンディングパッドの表面には凹部が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/320 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  H01L 21/60
FI (3件)：
H01L21/88 T ,  H01L21/90 B ,  H01L21/60 301P
Fターム (20件)：
5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033NN05 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN09 ,  5F033NN12 ,  5F033PP06 ,  5F033PP14 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR06 ,  5F033VV07 ,  5F033XX17 ,  5F033XX19 ,  5F044EE04 ,  5F044EE06 ,  5F044EE11
引用特許：
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM