特許
J-GLOBAL ID:201403042134731354

未研磨ガラスウェハ、未研磨ガラスウェハを使用して半導体ウェハを薄厚化する薄厚化システム及び方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 柳田 征史 ,  佐久間 剛
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2014-513565
公開番号(公開出願番号):特表2014-517805
出願日: 2012年05月23日
公開日(公表日): 2014年07月24日
要約:
未研磨ガラスウェハ、薄厚化システム、及び未研磨ガラスウェハを使用して半導体ウェハを薄厚化する方法が本明細書において記載される。1つの実施形態では、前記ガラスウェハは本体(例えば、円形本体)を有し、該本体は、互いに対して略平行な未研磨の第1表面及び未研磨の第2表面を含む。更に、前記円形本体は、マイクロメートルで表わされる全体厚さバラツキに、マイクロメートルで表わされ、かつ6.0μm未満である反りの10分の1を加算した値に等しいウェハ品質指標を有する。
請求項(抜粋):
互いに略平行である未研磨の第1表面(704)及び未研磨の第2表面(706)を含む本体(702)を備えた未研磨ガラスウェハ(700)において、 前記本体は、約6.0未満であるウェハ品質指標を有し、前記ウェハ品質指標は、マイクロメートルで表わされる全体厚さバラツキに、マイクロメートルで表わされる反りの10分の1を加算した値に等しく、前記全体厚さバラツキは、前記本体を断面で見たときの前記未研磨の第1表面と前記未研磨の第2表面との間の最大厚さ上昇量(708)と最小厚さ上昇量(710)との差であり、そして前記反りは、前記本体の形状に適用される最高位点(714)と最小二乗焦平面(716)との間の最大距離(712)の絶対値、及び前記本体の前記形状に適用される最低位点(720)と前記最小二乗焦平面との間の最大距離(718)の絶対値の合計であり、前記最高位点及び前記最低位点は共に、前記本体の同じ未研磨表面から知ることができる、 未研磨ガラスウェハ(700)。
IPC (4件):
C03B 17/06 ,  H01L 21/02 ,  C03C 27/04 ,  H01L 21/304
FI (4件):
C03B17/06 ,  H01L21/02 Z ,  C03C27/04 D ,  H01L21/304 622J
Fターム (27件):
4G061AA02 ,  4G061AA03 ,  4G061AA04 ,  4G061AA06 ,  4G061AA18 ,  4G061AA20 ,  4G061BA05 ,  4G061CA03 ,  4G061CB04 ,  4G061CB16 ,  4G061CD02 ,  4G061CD19 ,  4G061DA09 ,  4G061DA10 ,  4G061DA23 ,  4G061DA36 ,  4G061DA43 ,  5F057AA44 ,  5F057BA12 ,  5F057BB03 ,  5F057CA14 ,  5F057DA03 ,  5F057DA11 ,  5F057FA15 ,  5F057FA22 ,  5F057FA28 ,  5F057FA30
引用特許:
審査官引用 (7件)
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