特許
J-GLOBAL ID：201403043395152404

半導体装置の製造方法、半導体装置、サポート基板、半導体製造装置

発明者：
辻井 浩

辻井 浩 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 特許業務法人サクラ国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-201132
公開番号（公開出願番号）：特開2014-056949
出願日： 2012年09月13日
公開日（公表日）： 2014年03月27日
要約：
【課題】ウェハの薄化から半導体装置の電気特性の検査まで一貫してウェハを補強することができる半導体装置の製造方法、該製造方法により製造される半導体装置、サポート基板及び半導体製造装置を提供する。【解決手段】表面側に半導体装置が形成され、該表面側に第1のサポート基板が貼り付けられた半導体基板の裏面側に、貫通孔が形成されている第2のサポート基板を、貫通孔が半導体装置と重なるように貼り付ける工程と、第1のサポート基板を剥離する工程と、第1のサポート基板の剥離により露出した半導体装置の表面電極と、貫通孔から露出した半導体装置の裏面電極とに、電気特性検査装置のプローブを接触させて、半導体装置の電気特性を測定する工程と、半導体基板の表面側から半導体装置をコレットで吸着する工程と、貫通孔から半導体装置を突き上げピンで突き上げる工程と、を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
表面側に半導体装置が形成され、該表面側に第1のサポート基板が貼り付けられた半導体基板の裏面側に、貫通孔が形成されている第2のサポート基板を、前記貫通孔が前記半導体装置と重なるように貼り付ける工程と、 前記第1のサポート基板を剥離する工程と、 前記第1のサポート基板の剥離により露出した前記半導体装置の表面電極と、前記貫通孔から露出した前記半導体装置の裏面電極とに、電気特性検査装置のプローブを接触させて、前記半導体装置の電気特性を測定する工程と、 前記半導体基板の表面側から前記半導体装置をコレットで吸着する工程と、 前記貫通孔から半導体装置を突き上げピンで突き上げる工程と、 を有する半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/67 ,  H01L 21/683
FI (2件)：
H01L21/68 E ,  H01L21/68 N
Fターム (16件)：
5F131AA02 ,  5F131BA32 ,  5F131BA39 ,  5F131BA52 ,  5F131BA53 ,  5F131CA23 ,  5F131DA03 ,  5F131DA14 ,  5F131DA42 ,  5F131EC33 ,  5F131EC43 ,  5F131EC62 ,  5F131EC72 ,  5F131EC74 ,  5F131GA05 ,  5F131GA32
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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