結晶シリコンインゴット及びその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：恩田博宣 , 恩田誠 , 本田淳
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-079770
公開番号（公開出願番号）：特開2013-087051
特許番号：特許第5630665号
出願日： 2012年03月30日
公開日（公表日）： 2013年05月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】結晶シリコンインゴットを製造する方法において、結晶シリコンシード層を型に提供する工程であって、結晶シリコンシード層は、複数の第1の単結晶シリコンシードと、複数の第2の単結晶シリコンシードとを含み、各第1の単結晶シリコンシードは(100)と異なる第1の結晶方向を有し、第2の単結晶シリコンシードの各々は第1の結晶方向と異なる第2の結晶方向を有し、第1の結晶方向と第2の結晶方向との間の角度は35度以上であり、各第1の単結晶シリコンシードは1つ以上の第2の単結晶シリコンシードに隣接し、他の第1の単結晶シリコンシードから分離されている、前記工程と、シリコン溶融物を前記型に充填する工程であって、シリコン溶融物は結晶シリコンシード層に接触する、前記工程と、方向性凝固法を用いて前記型を冷却する工程であって、前記シリコン溶融物は凝固し、前記結晶シリコンシード層を含む結晶シリコンインゴットが形成される、前記工程と、を備え、複数の第2の単結晶シリコンシードは、複数の第1の単結晶シリコンシードの間に交互に配置され、前記結晶シリコンシード層に対する前記第1の単結晶シリコンシードの体積比は80%より大きく、2つの第1の単結晶シリコンシードの間に配置された1つの第2の単結晶シリコンシードの幅は、3〜5センチメートルの間の値である、方法。

IPC (1件)：

C30B 29/06 ( 200 6.01)

FI (1件)：

C30B 29/06 501 Z

引用特許：

出願人引用 (4件)

結晶シリコンインゴットの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-129950 出願人：シノ-アメリカンシリコンプロダクツインコーポレイテッド
シード結晶からキャストシリコンを製造するための方法及び装置
公報種別：公表公報出願番号：特願2010-518293 出願人：ビーピー・コーポレーション・ノース・アメリカ・インコーポレーテッド
幾何学的多結晶成型シリコンの製造方法および装置および光電変換用多結晶成型シリコン本体
公報種別：公表公報出願番号：特願2008-551522 出願人：ビーピー・コーポレーション・ノース・アメリカ・インコーポレーテッド

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引用文献：

出願人引用 (2件)

審査官引用 (2件)

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