薄膜トランジスタおよびその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： , , ,
代理人 (4件)：上羽秀敏 , 松山隆夫 , 坂根剛 , 川上桂子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-045952
公開番号（公開出願番号）：特開2014-175418
出願日： 2013年03月07日
公開日（公表日）： 2014年09月22日
要約：

【課題】駆動電圧の低減が可能な薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】薄膜トランジスタ10は、シリコン基板1と、チャネル層2と、ソース電極3と、ドレイン電極4と、絶縁膜5と、ゲート電極6とを備える。チャネル層2、ソース電極3およびドレイン電極4は、シリコン基板1の凹凸形状の凸部の長さ方向に沿って凸部上に直線状に配置される。チャネル層2は、カーボンナノウォール薄膜からなり、ソース電極3およびドレイン電極4は、金属カーボンナノウォール薄膜からなる。絶縁膜5は、SiO2からなり、シリコン基板1の裏面に接して配置される。ゲート電極6は、Ti/Auの積層構造からなり、絶縁膜5に接して配置される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

一主面に凹凸形状がストライプ状または碁盤目状に形成されたシリコン基板と、前記凹凸形状の凸部の長さ方向に沿って前記凸部上に配置され、前記シリコン基板の法線方向に成長したグラフェンまたはカーボンナノウォール薄膜からなるチャネル層と、前記グラフェンまたは前記カーボンナノウォール薄膜において前記グラフェンまたは前記カーボンナノウォール薄膜の厚み方向に平行な第1の側面に接し、金属カーボンナノウォール薄膜からなるソース電極と、前記グラフェンまたは前記カーボンナノウォール薄膜の面内方向において前記ソース電極に対向するように配置され、前記グラフェンまたは前記カーボンナノウォール薄膜において前記第1の側面に対向する第2の側面に接し、金属カーボンナノウォール薄膜からなるドレイン電極と、ゲート電極と、前記グラフェンまたは前記カーボンナノウォール薄膜と前記ゲート電極との間に配置された絶縁膜とを備える薄膜トランジスタ。

IPC (7件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 51/30 , H01L 51/40 , H01L 51/05 , H01L 21/205 , H01L 29/78

FI (10件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 618C , H01L29/78 618E , H01L29/78 616V , H01L29/78 618A , H01L29/28 250E , H01L29/28 310E , H01L29/28 100A , H01L21/205 , H01L29/78 301J

Fターム (47件)：

5F045AA08 , 5F045AB07 , 5F045AC08 , 5F045EH11 , 5F110AA07 , 5F110CC01 , 5F110CC07 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE14 , 5F110EE22 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF23 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG19 , 5F110GG22 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG45 , 5F110GG51 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK22 , 5F110HK32 , 5F110HK35 , 5F110QQ14 , 5F140AA30 , 5F140AA40 , 5F140AC16 , 5F140BA01 , 5F140BA18 , 5F140BB01 , 5F140BC05 , 5F140BC11 , 5F140BC15 , 5F140BF07 , 5F140BF11 , 5F140BF15 , 5F140BF42 , 5F140BF43 , 5F140BG30 , 5F140BJ01 , 5F140BJ03 , 5F140BK17

引用特許：

出願人引用 (2件)

カーボンナノウォールの処理方法、カーボンナノウォール、カーボンナノウォールデバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-093283 出願人：トヨタ自動車株式会社, 堀勝, 平松美根男
カーボンナノウォールの選択成長方法、およびカーボンナノウォールを用いた電子デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-059472 出願人：国立大学法人名古屋大学, NUエコ・エンジニアリング株式会社

引用文献：

出願人引用 (1件)

カーボンナノウォールの自己配列化成長と電界効果素子の作製

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