特許
J-GLOBAL ID:201403045371206158

真空処理設備

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人深見特許事務所
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-172997
公開番号(公開出願番号):特開2012-256604
特許番号:特許第5642740号
出願日: 2012年08月03日
公開日(公表日): 2012年12月27日
請求項(抜粋):
【請求項1】 真空処理設備において、 真空容器(105a)と、 容器内部に第1の平坦な金属電極面(EF1)と、 平坦な誘電材料の設備(27)の表面を形成する、前記第1の平坦な金属電極面のほうを向いた第2の誘電電極面(EF2)と、 前記平坦な設備(27)の裏面(ER)のほうを向いた金属結合面(KF)と、 前記結合面(KF)上および第1の電極面(EF1)上の電気接続部と、 前記結合面(KF)を通り、かつ前記平坦な誘電材料の設備(27)内の平面的に配分された開口部(29)のパターンを通るガス配管系(17)とを備え、前記平面的に配分された開口部(29)のパターンは前記平坦な設備(27)を通って前記ガス配管系(17)に接続されており、 前記平坦な誘電材料の設備(27)は互いに隔たった複数のセラミックタイル(50)を含み、前記平坦な誘電材料の設備を通る前記平面的に配分された開口部のパターンは、前記セラミックタイル(50)を互いに分離する間隙によって形成される、真空処理設備。
IPC (4件):
H05H 1/46 ( 200 6.01) ,  H01L 21/3065 ( 200 6.01) ,  H01L 21/31 ( 200 6.01) ,  C23C 16/509 ( 200 6.01)
FI (4件):
H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 101 B ,  H01L 21/31 C ,  C23C 16/509
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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