特許
J-GLOBAL ID：201403045712950683

導電膜形成用組成物およびこれを用いる導電膜の製造方法

発明者：
加納 丈嘉

加納 丈嘉 について

, 
津山 博昭

津山 博昭 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (4件)： 渡辺 望稔 ,  三和 晴子 ,  伊東 秀明 ,  三橋 史生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-056122
公開番号（公開出願番号）：特開2014-182913
出願日： 2013年03月19日
公開日（公表日）： 2014年09月29日
要約：
【課題】基材との密着性に優れた導電膜を形成することができる導電膜形成用組成物を提供する。【解決手段】平均凝集粒子径が50〜200nmである銅ナノ粒子と、平均凝集粒子径が1〜10μmである銅フィラーと、ギ酸銅にアミンが配位してなるギ酸銅錯体とを含む導電膜形成用組成物。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
平均凝集粒子径が50〜200nmである銅ナノ粒子と、平均凝集粒子径が1〜10μmである銅フィラーと、ギ酸銅にアミンが配位してなるギ酸銅錯体とを含む導電膜形成用組成物。
IPC (11件)：
H01B 1/22 ,  H01B 13/00 ,  H01B 1/00 ,  C08L 101/00 ,  C08K 3/08 ,  C08K 5/56 ,  C08K 9/02 ,  C08K 5/09 ,  H05K 1/09 ,  H05K 3/10 ,  H05K 3/12
FI (11件)：
H01B1/22 A ,  H01B13/00 503C ,  H01B1/00 K ,  C08L101/00 ,  C08K3/08 ,  C08K5/56 ,  C08K9/02 ,  C08K5/09 ,  H05K1/09 A ,  H05K3/10 E ,  H05K3/12 610B
Fターム (36件)：
4E351BB01 ,  4E351BB31 ,  4E351DD04 ,  4E351EE02 ,  4E351EE06 ,  4E351GG16 ,  4J002AB011 ,  4J002AF021 ,  4J002BB001 ,  4J002BE021 ,  4J002BG001 ,  4J002BJ001 ,  4J002CD001 ,  4J002CF001 ,  4J002CK021 ,  4J002DA076 ,  4J002DA077 ,  4J002EF029 ,  4J002EF059 ,  4J002EF069 ,  4J002EF079 ,  4J002EZ008 ,  4J002FB077 ,  4J002FD017 ,  4J002FD310 ,  4J002GH00 ,  4J002GQ02 ,  5E343BB24 ,  5E343BB75 ,  5E343DD03 ,  5E343DD12 ,  5E343GG02 ,  5G301DA06 ,  5G301DA42 ,  5G301DD01 ,  5G301DE01
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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