半導体膜、半導体膜の製造方法、太陽電池、発光ダイオード、薄膜トランジスタ、および、電子デバイス

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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：中島淳 , 加藤和詳 , 福田浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-246566
公開番号（公開出願番号）：特開2014-143397
出願日： 2013年11月28日
公開日（公表日）： 2014年08月07日
要約：

【課題】コロイド量子ドットを用いた太陽電池に用いる高い光電流値が得られ、かつ膜剥がれが抑制される半導体膜の提供。【解決手段】金属原子を含み、平均粒径が2nm〜15nmであり、PbS、PbSe、InN、InAs、InSb、及びInPからなる群から選択される少なくとも1つを含む半導体量子ドットの集合体と、前記半導体量子ドットに配位しているチオシアネートイオンと、カリウムイオン又はリチウムイオンである金属イオンと、を有する半導体膜。量子ドットの平均粒径は2〜15nmである半導体膜。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

金属原子を含む半導体量子ドットの集合体と、前記半導体量子ドットに配位しているチオシアネートイオンと、金属イオンとを有する半導体膜。

IPC (8件)：

H01L 21/368 , H01L 29/786 , H01L 31/06 , B82Y 30/00 , B82Y 40/00 , B82Y 20/00 , H01L 21/208 , H01L 29/06

FI (9件)：

H01L21/368 Z , H01L29/78 618B , H01L31/04 E , B82Y30/00 , B82Y40/00 , B82Y20/00 , H01L21/208 D , H01L21/208 Z , H01L29/06 601D

Fターム (23件)：

5F053AA03 , 5F053AA06 , 5F053AA50 , 5F053DD11 , 5F053DD20 , 5F053FF01 , 5F053GG10 , 5F053HH10 , 5F053JJ01 , 5F053JJ03 , 5F053LL02 , 5F053LL05 , 5F053LL10 , 5F053PP01 , 5F053PP20 , 5F053RR12 , 5F110DD03 , 5F110GG01 , 5F151DA03 , 5F151DA20 , 5F151FA02 , 5F151FA06 , 5F151GA03

引用特許：

審査官引用 (8件)

空乏ヘテロ接合とシェルパッシベートナノ粒子を有する光起電力デバイス
公報種別：公表公報出願番号：特願2013-503781 出願人：ザガバニングカウンシルオブザユニバーシティオブトロント
量子ドット、量子ドットを持つナノ複合材料、量子ドットを持つ光学デバイス、および関連した製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2005-507867 出願人：ウルトラドッツ・インコーポレイテッド
ナノ構造層を備える光起電装置
公報種別：公表公報出願番号：特願2008-554448 出願人：ソレクサント・コーポレイション

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