特許

J-GLOBAL ID：201403048232824261

半導体デバイスおよびその製造方法

発明者： 佐藤 義浩 ,  堤 岳志 ,  山田 三千矢 ,  田中 亮 ,  佐々木 康真
出願人/特許権者： 次世代パワーデバイス技術研究組合
代理人 (1件)： アインゼル・フェリックス=ラインハルト
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-147328
公開番号（公開出願番号）：特開2014-011329
出願日： 2012年06月29日
公開日（公表日）： 2014年01月20日
要約：

【課題】横型構造の半導体デバイスにおいて、電極間に高電界が生じる場合であっても信頼性を向上することができる半導体デバイスを提供する。【解決手段】半導体デバイス1は、Siからなる基板11と、該基板上に形成されたバッファ層12と、バッフャ層12上に積層されたGaN層13と、GaN層13上に積層され、GaNとヘテロ接合された他のGaN系化合物を含むAlGaN層14と、AlGaN層14の表面14aに所定間隔で形成されたショットキー電極3およびオーミック電極4とを備えている。また半導体デバイス1は、電極3,4のそれぞれの対向面3a,4aとAlGaN層14の表面14aとを一体的に覆って形成され、SiO2からなる誘電体構造5と、誘電体構造5上であり且つ電極3,4の間に、SiO2と同じかそれ以上の誘電率を有する材料からなる誘電体構造6とを備えている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

横型構造の半導体デバイスであって、 基板と、 前記基板上に積層され、GaN系化合物を含む第1半導体層と、 前記第1半導体層上に積層され、前記GaN系化合物とヘテロ接合された他のGaN系化合物を含む第2半導体層と、 前記第2半導体層の表面に所定間隔で形成された第1電極および第2電極と、 前記第1電極および前記第2電極のそれぞれの対向面と、前記第2半導体層の表面とを一体的に覆って形成され、所定の誘電率を有する第1材料からなる第1誘電体構造と、 前記第1誘電体構造上であり且つ前記第1電極および第2電極の間に形成され、前記第1材料と同じかそれ以上の誘電率を有する第2材料からなる第2誘電体構造と、 を備えることを特徴とする半導体デバイス。

IPC (10件)：

H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/532 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/868 ,  H01L 21/316

FI (8件)：

H01L29/48 F ,  H01L29/80 H ,  H01L29/48 D ,  H01L21/90 M ,  H01L29/91 H ,  H01L29/91 F ,  H01L21/316 X ,  H01L21/316 M

Fターム (73件)：

4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104DD37 ,  4M104DD65 ,  4M104DD68 ,  4M104DD78 ,  4M104EE06 ,  4M104EE12 ,  4M104EE14 ,  4M104EE18 ,  4M104FF13 ,  4M104FF17 ,  4M104GG02 ,  4M104GG03 ,  4M104GG18 ,  4M104HH20 ,  5F033GG02 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033JJ01 ,  5F033KK07 ,  5F033KK08 ,  5F033KK13 ,  5F033KK18 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ41 ,  5F033QQ73 ,  5F033RR04 ,  5F033RR22 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT02 ,  5F033TT04 ,  5F033XX00 ,  5F058AA10 ,  5F058AB01 ,  5F058AD04 ,  5F058AD10 ,  5F058AF04 ,  5F058AH02 ,  5F058AH04 ,  5F058BA20 ,  5F058BB01 ,  5F058BC02 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD19 ,  5F058BF07 ,  5F058BF25 ,  5F058BF29 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ04 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GS09 ,  5F102GT01 ,  5F102GT02 ,  5F102GT04 ,  5F102GV06 ,  5F102GV07

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 化合物半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-042951   出願人：富士通株式会社
• 電界効果トランジスタ、電界効果トランジスタの製造方法、および電子装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-073878   出願人：日本電気株式会社
• DC/DCコンバータ用半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-114840   出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
• 電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-053889   出願人：日本電気株式会社
• 電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-168602   出願人：日本電気株式会社