赤外線発光素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人谷・阿部特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-218585
公開番号（公開出願番号）：特開2014-013944
出願日： 2013年10月21日
公開日（公表日）： 2014年01月23日
要約：

【課題】熱励起した正孔(ホール)による暗電流、及び拡散電流を抑制した赤外線発光素子を提供すること。【解決手段】第1のn型化合物半導体層(102)において発生した熱励起キャリア(正孔)はπ層(105)方向に拡散しようとするが、第1のn型化合物半導体層(102)およびπ層(105)よりもバンドギャップが大きく、その拡散を抑制するn型ワイドバンドギャップ層(103)を第1のn型化合物半導体層(102)とπ層(105)との間に設けることで、正孔による暗電流が低減される。n型ワイドバンドギャップ層(103)は、n型ドーピングによりそのバンドギャップが相対的に価電子帯方向へシフトしており、熱励起された正孔の拡散障壁としてより効果的に機能する。つまり、n型ワイドバンドギャップ層(103)は、そのバンドギャップとn型ドーピングが、熱励起キャリアの拡散を抑制するように調整されている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上の、第1のn型化合物半導体層と、前記第1のn型化合物半導体層上の、n型ワイドバンドギャップ層と、前記n型ワイドバンドギャップ層上の、p型ドーピングのπ層とを備え、前記n型ワイドバンドギャップ層以外の層のバンドギャップは、0.41eV以下であって、前記n型ワイドバンドギャップ層は、前記第1のn型化合物半導体層および前記π層よりもバンドギャップが大きいことを特徴とする赤外線発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/30 , H01L 33/32

FI (2件)：

H01L33/00 184 , H01L33/00 186

Fターム (15件)：

5F141AA03 , 5F141AA40 , 5F141CA02 , 5F141CA08 , 5F141CA12 , 5F141CA22 , 5F141CA34 , 5F141CA53 , 5F141CA56 , 5F141CA66 , 5F141CA74 , 5F141CA92 , 5F141CA93 , 5F141CB25 , 5F141FF16

引用特許：

審査官引用 (14件)

特開昭62-291985
特開平1-264287
低抵抗接点半導体ダイオード
公報種別：公表公報出願番号：特願平9-520270 出願人：イギリス国

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