特許
J-GLOBAL ID：201403049465191133

エッチング方法

発明者：
渡辺 真也

渡辺 真也 について

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井上 雄貴

井上 雄貴 について

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伊藤 啓吾

伊藤 啓吾 について

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西田 吉輝

西田 吉輝 について


出願人/特許権者：
株式会社ディスコ

株式会社ディスコ について


代理人 (2件)： 松本 昂 ,  大上 寛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-163767
公開番号（公開出願番号）：特開2014-027008
出願日： 2012年07月24日
公開日（公表日）： 2014年02月06日
要約：
【課題】SiO2膜の形成によりエッチングレートが下がる恐れを低減可能なエッチング方法を提供する。【解決手段】シリコンウエーハ11をエッチングするエッチング方法であって、エッチング液供給源52からのエッチング液を脱気する脱気処理54ステップと、該脱気処理ステップで脱気されたエッチング液をシリコンウエーハの裏面に供給50してシリコンウエーハをエッチングするエッチングステップと、を含むことを特徴とする。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
シリコンウエーハをエッチングするエッチング方法であって、 エッチング液供給源からのエッチング液を脱気する脱気処理ステップと、 該脱気処理ステップで脱気されたエッチング液をシリコンウエーハの裏面に供給してシリコンウエーハをエッチングするエッチングステップと、 を含むことを特徴とするエッチング方法。
IPC (2件)：
H01L 21/306 ,  H01L 23/12
FI (2件)：
H01L21/306 B ,  H01L23/12 501P
Fターム (4件)：
5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043EE07 ,  5F043EE08
引用特許：
審査官引用 (4件)
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