特許
J-GLOBAL ID:201403049891436003

フェライト基板及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  三上 敬史 ,  石坂 泰紀
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-157988
公開番号(公開出願番号):特開2014-019594
出願日: 2012年07月13日
公開日(公表日): 2014年02月03日
要約:
【課題】ガラス層の欠けが生じにくい磁性基板及びその製造方法を提供すること。【解決手段】磁性基板は、(a)Fe、(b)Mn及びNiの少なくとも一方、(c)Zn、及び、(d)Biを含むスピネル型フェライト焼結基板、及び、スピネル型フェライト焼結基板の表面を覆う、Biを含有するガラス層、を備える。スピネル型フェライト焼結基板の表面層におけるBiの濃度がスピネル型フェライト焼結基板の内部層におけるBiの濃度よりも高く、且つ、スピネル型フェライト焼結基板の表面層におけるZnの濃度がスピネル型フェライト焼結基板の内部層におけるZnの濃度よりも低い。【選択図】図1
請求項(抜粋):
(a)Fe、(b)Mn及びNiの少なくとも一方、(c)Zn、及び、(d)Biを含むスピネル型フェライト焼結基板、及び、 前記スピネル型フェライト焼結基板の表面を覆う、Biを含有するガラス層、 を備え、 前記スピネル型フェライト焼結基板の表面層におけるBiの濃度が前記スピネル型フェライト焼結基板の内部層におけるBiの濃度よりも高く、且つ、 前記スピネル型フェライト焼結基板の表面層におけるZnの濃度が前記スピネル型フェライト焼結基板の内部層におけるZnの濃度よりも低い、フェライト基板。
IPC (4件):
C04B 35/26 ,  H01F 1/34 ,  C04B 35/30 ,  C03C 8/16
FI (5件):
C04B35/26 B ,  H01F1/34 Z ,  C04B35/30 Z ,  C04B35/26 J ,  C03C8/16
Fターム (90件):
4G018AA21 ,  4G018AA23 ,  4G018AA25 ,  4G018AA37 ,  4G018AB02 ,  4G018AC07 ,  4G018AC08 ,  4G018AC13 ,  4G018AC16 ,  4G018AC23 ,  4G018AC26 ,  4G062AA08 ,  4G062BB08 ,  4G062CC10 ,  4G062DA01 ,  4G062DA02 ,  4G062DB01 ,  4G062DB02 ,  4G062DC05 ,  4G062DC06 ,  4G062DD01 ,  4G062DE04 ,  4G062DF01 ,  4G062EA01 ,  4G062EB01 ,  4G062EB02 ,  4G062EC01 ,  4G062ED01 ,  4G062ED02 ,  4G062EE01 ,  4G062EE02 ,  4G062EF01 ,  4G062EF02 ,  4G062EG01 ,  4G062EG02 ,  4G062FA01 ,  4G062FB01 ,  4G062FB02 ,  4G062FB03 ,  4G062FC01 ,  4G062FD01 ,  4G062FE01 ,  4G062FF01 ,  4G062FF02 ,  4G062FF03 ,  4G062FG01 ,  4G062FH01 ,  4G062FJ01 ,  4G062FK01 ,  4G062FL01 ,  4G062GA04 ,  4G062GA05 ,  4G062GB01 ,  4G062GC01 ,  4G062GD01 ,  4G062GE01 ,  4G062HH01 ,  4G062HH03 ,  4G062HH05 ,  4G062HH07 ,  4G062HH08 ,  4G062HH09 ,  4G062HH10 ,  4G062HH11 ,  4G062HH12 ,  4G062HH13 ,  4G062HH15 ,  4G062HH17 ,  4G062HH20 ,  4G062JJ01 ,  4G062JJ03 ,  4G062JJ05 ,  4G062JJ07 ,  4G062JJ10 ,  4G062KK01 ,  4G062KK03 ,  4G062KK05 ,  4G062KK07 ,  4G062KK10 ,  4G062MM07 ,  4G062NN33 ,  4G062NN34 ,  5E041AB01 ,  5E041AB02 ,  5E041AB14 ,  5E041AB19 ,  5E041BC01 ,  5E041HB14 ,  5E041NN02 ,  5E041NN18
引用特許:
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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