特許
J-GLOBAL ID:201403050380720291
基板処理装置、および基板処理方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-181541
公開番号(公開出願番号):特開2014-038979
出願日: 2012年08月20日
公開日(公表日): 2014年02月27日
要約:
【課題】基板の周縁部の化学処理幅の均一性と処理効率とのそれぞれの悪化を抑制しつつ化学処理幅を細くする。【解決手段】基板処理装置は、基板を略水平姿勢にて保持する基板保持部と、基板保持手段に保持された基板を略水平面内にて回転させる回転部と、基板の周縁部の回転軌跡における異なる複数の位置にそれぞれ対向するように配置されて、複数の位置において前記周縁部をそれぞれ加熱する複数の加熱部と、複数の加熱部によって加熱された周縁部に上方から処理液を供給して周縁部の化学処理を行う周縁処理部とを備える。周縁部が複数箇所において加熱されるので各箇所における径方向の加熱幅が細い場合でも、基板の周縁部の温度低下が抑制されて処理液の反応速度の低下が抑制される。これにより、周縁部の化学処理幅の均一性と処理効率とのそれぞれの悪化を抑制しつつ化学処理幅を細くできる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
温度が高いほど反応速度が速くなる処理液を用いて基板の化学処理を行う基板処理装置であって、
基板を略水平姿勢にて保持する基板保持部と、
前記基板保持手段に保持された前記基板を略水平面内にて回転させる回転部と、
前記基板の周縁部の回転軌跡における異なる複数の位置にそれぞれ対向するように配置されて、前記複数の位置において前記周縁部をそれぞれ加熱する複数の加熱部と、
前記複数の加熱部によって加熱された前記周縁部に上方から処理液を供給して前記周縁部の化学処理を行う周縁処理部と、
を備えた基板処理装置。
IPC (3件):
H01L 21/306
, H01L 21/304
, B08B 3/04
FI (3件):
H01L21/306 R
, H01L21/304 643A
, B08B3/04 A
Fターム (36件):
3B201AA03
, 3B201AB34
, 3B201BB22
, 3B201BB62
, 3B201BB82
, 3B201BB92
, 3B201BC01
, 3B201CC01
, 3B201CC13
, 5F043AA24
, 5F043AA26
, 5F043BB16
, 5F043BB18
, 5F043DD07
, 5F043DD08
, 5F043DD13
, 5F043EE07
, 5F043EE08
, 5F043EE12
, 5F043GG10
, 5F157AA62
, 5F157AA69
, 5F157AB02
, 5F157AB33
, 5F157AB90
, 5F157AC01
, 5F157AC02
, 5F157AC22
, 5F157BB22
, 5F157BB66
, 5F157BB75
, 5F157BH18
, 5F157CB03
, 5F157CB13
, 5F157DB02
, 5F157DB22
引用特許:
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