特許
J-GLOBAL ID：201403051463528950
CIGS膜およびそれを用いたCIGS太陽電池
発明者：
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
西藤 征彦
, 井▲崎▼ 愛佳
, 西藤 優子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-024574
公開番号（公開出願番号）：特開2014-154759
出願日： 2013年02月12日
公開日（公表日）： 2014年08月25日
要約：
【課題】表面の酸化を抑制することができるCIGS膜、およびそのCIGS膜を用いて変換効率の低下とばらつきとを抑制したCIGS太陽電池を提供する。【解決手段】CIGS太陽電池の光吸収層として用いられるCIGS膜が、その裏面から所定の第1厚み位置まで厚くなるにつれてGa/(In+Ga)比が徐々に減少する第1領域と、この第1領域上から所定の第1厚み位置まで厚くなるにつれて上記Ga/(In+Ga)比が徐々に増加する第2領域とを有し、さらに、上記第2領域上に、表面に向かって上記Ga/(In+Ga)比が徐々に減少する第3領域を有している。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
CIGS太陽電池の光吸収層として用いられ、その裏面から所定の厚みまで厚くなるにつれて下記(A)のGa/(In+Ga)比が徐々に減少する第1領域と、この第1領域上に位置し、表面側に向かって上記Ga/(In+Ga)比が徐々に増加する第2領域とを有するCIGS膜であって、上記第2領域上に、表面に向かって上記Ga/(In+Ga)比が徐々に減少する第3領域が形成されていることを特徴とするCIGS膜。
(A)インジウム(In)の原子数濃度とガリウム(Ga)の原子数濃度の和に対するそのガリウム(Ga)の原子数濃度の比であるGa/(In+Ga)比。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (24件)：
5F103AA01
, 5F103BB57
, 5F103DD30
, 5F103HH05
, 5F103HH10
, 5F103LL04
, 5F103NN01
, 5F103NN10
, 5F103PP13
, 5F103RR08
, 5F151AA09
, 5F151AA10
, 5F151CB14
, 5F151CB24
, 5F151CB29
, 5F151CB30
, 5F151DA03
, 5F151DA07
, 5F151DA12
, 5F151FA04
, 5F151FA06
, 5F151FA13
, 5F151FA15
, 5F151GA03
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示
前のページに戻る
