特許
J-GLOBAL ID：200903097321258343
薄膜太陽電池
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
鎌田 耕一
, 黒田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-168570
公開番号（公開出願番号）：特開2007-335792
出願日： 2006年06月19日
公開日（公表日）： 2007年12月27日
要約：
【課題】エネルギー変換効率の向上に理想的なバンド構造を有する薄膜太陽電池を提供する。【解決手段】本発明の薄膜太陽電池10は、カルコパイライト構造半導体からなる光吸収層13a,13bを備えている。光吸収層13a,13bは、CIGSからなる第1の半導体層13aと、CIASからなる第2の半導体層13bとを含む。第1の半導体層13aは、第2の半導体層13bに近づくにつれてバンドギャップが小さくなっている。第2の半導体層13bは、第1の半導体層13aにおける最小のバンドギャップも大きいバンドギャップを有する。これら第1および第2の半導体層13a,13bにより、ダブルグレーデッドバンドギャップが形成されている。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
GaおよびInからなる群より選ばれる少なくとも1つの元素と、S、SeおよびTeからなる群より選ばれる少なくとも1つの元素と、Cuと、Alとを含みカルコパイライト構造である半導体薄膜を光吸収層として備え、
前記半導体薄膜は、第1の半導体層と、前記第1の半導体層よりも光入射側に配置された第2の半導体層とを含み、
前記第1の半導体層は、前記第2の半導体層に近づくにつれてバンドギャップが小さくなっており、
前記第2の半導体層は、前記半導体薄膜内においてAl濃度の最も大きい領域を含むとともに、前記第1の半導体層における最小のバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有する、薄膜太陽電池。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
5F051AA10
, 5F051DA03
, 5F051DA12
, 5F051FA02
, 5F051FA06
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (3件)
引用文献：
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