特許
J-GLOBAL ID：201403051583121853

半導体装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
須澤 英臣

須澤 英臣 について

, 
山形 裕和

山形 裕和 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-246274
公開番号（公開出願番号）：特開2014-053640
出願日： 2013年11月28日
公開日（公表日）： 2014年03月20日
要約：
【課題】多層配線間で形成される寄生容量を低減することを目的の一とする。【解決手段】絶縁表面上に第1配線と、前記第1配線を覆う第1層間絶縁膜と、前記第1層間絶縁膜上の一部に接して第2層間絶縁膜と、前記第1層間絶縁膜及び前記第2層間絶縁膜上に第2配線とを有し、前記第1配線と前記第2配線とが重なっている領域には、前記第1層間絶縁膜と前記第2層間絶縁膜とが積層された半導体装置である。第1配線と第2配線間に層間絶縁膜が積層されていることで寄生容量の低減が可能となる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁表面上に第1配線と、 前記第1配線上の第1絶縁膜と、 前記第1絶縁膜上の一部に接する第2絶縁膜と、 前記第1絶縁膜及び前記第2絶縁膜上の第2配線と、を有し、 前記第1配線と前記第2配線とが重なっている領域には、前記第1絶縁膜と前記第2絶縁膜とが積層されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  H01L 51/50
FI (3件)：
H01L29/78 619A ,  H01L21/90 W ,  H05B33/14 A
Fターム (118件)：
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC21 ,  3K107CC31 ,  3K107CC36 ,  3K107EE03 ,  3K107HH05 ,  5F033HH10 ,  5F033HH18 ,  5F033JJ10 ,  5F033JJ18 ,  5F033KK04 ,  5F033KK17 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK20 ,  5F033KK21 ,  5F033KK28 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033KK34 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033NN21 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033SS01 ,  5F033SS02 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033XX24 ,  5F110AA02 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110BB08 ,  5F110BB11 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE08 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE28 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG13 ,  5F110GG17 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG32 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL07 ,  5F110HL09 ,  5F110HL12 ,  5F110HL14 ,  5F110HM04 ,  5F110HM12 ,  5F110HM13 ,  5F110HM14 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN05 ,  5F110NN06 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN39 ,  5F110NN40 ,  5F110NN44 ,  5F110NN46 ,  5F110NN47 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP10 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ10 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ28
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM