特許
J-GLOBAL ID：200903087909610846
プラズマエッチング装置、プラズマエッチング方法およびコンピュータ読取可能な記憶媒体
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-254058
公開番号（公開出願番号）：特開2009-033080
出願日： 2007年09月28日
公開日（公表日）： 2009年02月12日
要約：
【課題】SiC膜を下地膜としてSiOC系のLow-k膜をエッチングする場合等、下地膜に対して選択比を十分に取り難い場合であっても、高選択比および高エッチングレートで被エッチング膜をエッチングすることができるプラズマエッチング装置を提供すること。【解決手段】真空排気可能な処理容器10内に、上部電極34と下部電極16を対向するように配置し、上部電極34プラズマ形成用の高周波電力を供給する第1の高周波電源48を接続し、下部電極16にイオン引き込みバイアス用の高周波電力を印加する第2の高周波電源90を接続し、第2の高周波電源90に制御器95を設け、この制御器95は、第2の高周波電源90を、ウエハWの所定の膜にポリマーが堆積される第1のパワーとウエハWの所定の膜のエッチングが進行する第2のパワーとの間で所定周期でパワー変調するパワー変調モードで動作するように制御する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
真空排気可能な処理容器と、
処理容器内に配置された第1電極と、
前記第1電極に対向して設けられた被処理基板を支持する第2電極と、
前記第1電極または第2電極にプラズマ形成用の第1の高周波電力を供給する第1の高周波電力供給ユニットと、
前記第2電極にイオン引き込み用の第2の高周波電力を供給する第2の高周波電力供給ユニットと、
前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給ユニットと、
前記第2の高周波電力供給ユニットを制御する制御器と
を具備し、
前記制御器は、前記第2の高周波電力供給ユニットを、被処理基板の所定の膜にポリマーが堆積される第1のパワーと被処理基板の所定の膜のエッチングが進行する第2のパワーとの間で所定周期でパワー変調するパワー変調モードで動作するように制御することを特徴とするプラズマエッチング装置。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L21/302 101B
, H01L21/302 301N
5F004AA05
, 5F004BA09
, 5F004BB11
, 5F004BB12
, 5F004BB13
, 5F004CA03
, 5F004CA06
, 5F004CA08
, 5F004DA00
, 5F004DA23
, 5F004DA25
, 5F004DA26
, 5F004DA30
, 5F004DB23
, 5F004EA05
, 5F004EA23
, 5F004EA28
, 5F004EB03
