窒素含有アモルファスシリコンカーバイドからなるn型半導体及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人京都国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-043709
公開番号（公開出願番号）：特開2014-175328
出願日： 2013年03月06日
公開日（公表日）： 2014年09月22日
要約：

【課題】窒素含有アモルファスシリコンカーバイド(SiC)からなるn型半導体、及び高温下での製造工程を含まない、窒素含有アモルファスシリコンカーバイドからなるn型半導体の製造方法を提供する。【解決手段】アノードカップリング型プラズマCVD法を用いて、アルキルシラン化合物及び/又はアルコキシシラン化合物であるシラン化合物と、シラザン化合物の混合物を原料として生成される化合物を基板上に堆積させることにより、窒素含有アモルファスシリコンカーバイドからなるn型半導体を製造する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコン原子と炭素原子を1:1〜2の比率で含有し、前記シリコン原子と前記炭素原子の合計数に対して2〜8%の原子数比率で窒素原子を含有することを特徴とする窒素含有アモルファスシリコンカーバイドからなるn型半導体。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/42 , H01L 31/06

FI (3件)：

H01L21/205 , C23C16/42 , H01L31/04 B

Fターム (14件)：

4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030BA37 , 4K030BB05 , 4K030FA01 , 4K030JA06 , 4K030LA12 , 5F045AA08 , 5F045AB06 , 5F045AC01 , 5F045AC07 , 5F045EH14 , 5F045EH20 , 5F151AA05

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開昭58-107546
特開昭63-136514
特開昭62-033419

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引用文献：

審査官引用 (5件)

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