特許

J-GLOBAL ID：201403054656512804

レジスト材料、これを用いたパターン形成方法、並びに重合性モノマー及び高分子化合物

発明者： 畠山 潤 ,  提箸 正義
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (5件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史 ,  正木 克彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-098023
公開番号（公開出願番号）：特開2013-257542
出願日： 2013年05月08日
公開日（公表日）： 2013年12月26日
要約：

【解決手段】カルボキシル基及び/又はフェノール性水酸基の水素原子が酸不安定基で置換されている繰り返し単位と、一般式(1)で示される繰り返し単位を含む重量平均分子量が1,000〜500,000の範囲である高分子化合物をベース樹脂にしているレジスト材料。(式中、R1はメチル基、エチル基、プロピル基、メトキシ基、エトキシ基又はプロポキシ基、R2は水素原子又はメチル基である。mは1〜4の整数である。)【効果】本発明のレジスト材料は、酸の拡散を抑える効果が高く、高解像性を有し、露光後のパターン形状とエッジラフネスが良好である。従って、特に超LSI製造用あるいはEB描画によるフォトマスクの微細パターン形成材料、EBあるいはEUV露光用のパターン形成材料として好適なレジスト材料、特には化学増幅ポジ型レジスト材料を得ることができる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

カルボキシル基及び/又はフェノール性水酸基の水素原子が酸不安定基で置換されている繰り返し単位と、下記一般式(1)で示される繰り返し単位を含む重量平均分子量が1,000〜500,000の範囲である高分子化合物をベース樹脂にしていることを特徴とするレジスト材料。

IPC (4件)：

G03F 7/039 ,  G03F 7/004 ,  H01L 21/027 ,  C08F 220/30

FI (4件)：

G03F7/039 601 ,  G03F7/004 503A ,  H01L21/30 502R ,  C08F220/30

Fターム (87件)：

2H125AF17P ,  2H125AF18P ,  2H125AF34P ,  2H125AF36P ,  2H125AF38P ,  2H125AH11 ,  2H125AH12 ,  2H125AH15 ,  2H125AH16 ,  2H125AH17 ,  2H125AH22 ,  2H125AH23 ,  2H125AH24 ,  2H125AJ02Y ,  2H125AJ04Y ,  2H125AJ12X ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ14Y ,  2H125AJ42Y ,  2H125AJ48Y ,  2H125AJ52X ,  2H125AJ64X ,  2H125AJ64Y ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ65Y ,  2H125AJ66X ,  2H125AJ68Y ,  2H125AJ70X ,  2H125AJ70Y ,  2H125AN38P ,  2H125AN39P ,  2H125AN41P ,  2H125AN42P ,  2H125AN88P ,  2H125BA01P ,  2H125BA02P ,  2H125BA26P ,  2H125CA12 ,  2H125CB08 ,  2H125CB12 ,  2H125CB16 ,  2H125CD08P ,  2H125CD37 ,  4J100AB00Q ,  4J100AB07Q ,  4J100AB07S ,  4J100AB07T ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100AR09S ,  4J100AR10R ,  4J100BA02Q ,  4J100BA02R ,  4J100BA02S ,  4J100BA03Q ,  4J100BA03R ,  4J100BA03S ,  4J100BA03T ,  4J100BA11R ,  4J100BA11S ,  4J100BA11T ,  4J100BA15T ,  4J100BA56S ,  4J100BA56T ,  4J100BB12S ,  4J100BB12T ,  4J100BB18S ,  4J100BB18T ,  4J100BC07P ,  4J100BC09P ,  4J100BC09T ,  4J100BC12P ,  4J100BC43Q ,  4J100BC43R ,  4J100BC53S ,  4J100BC53T ,  4J100BC79R ,  4J100BC84R ,  4J100CA03 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (6件)

• ネガ型レジスト材料、パターン形成方法及びフォトマスクブランク
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-106382   出願人：信越化学工業株式会社
• 特開昭59-093703
  
• EUV用又はEB用レジスト組成物、レジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-228065   出願人：東京応化工業株式会社
• 重合性アニオンを有するスルホニウム塩及び高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-188232   出願人：信越化学工業株式会社
• フェノール系ポリマー及びこれを含有するフォトレジスト
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-060772   出願人：ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー.
• 重合体、フォトレジスト、エポキシ硬化剤および塗料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-302700   出願人：昭和高分子株式会社