特許
J-GLOBAL ID：201303084078087932

EUV用又はEB用レジスト組成物、レジストパターン形成方法

発明者：
岩下 淳

岩下 淳 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (4件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  五十嵐 光永
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-228065
公開番号（公開出願番号）：特開2013-088572
出願日： 2011年10月17日
公開日（公表日）： 2013年05月13日
要約：
【課題】レジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。【解決手段】露光により酸を発生し且つ酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)とフッ素原子及びケイ素原子から選ばれる少なくとも1種と塩基の作用により分解して極性が増大する極性変換基とを有する樹脂成分(C)とを含有するEUV用又はEB用レジスト組成物であって、(A)は式(a0-1)又は(a0-2)で表される基を有する構成単位(a0)を有する成分(A1)を含有し、(C)を(A)100質量部に対して1〜15質量部含有する[Q1、Q2は単結合又は2価の連結基、R3〜R5は有機基であり、-R3-S+(R4)(R5)は全体で芳香環を1個のみ有するか又は芳香環を有さない]。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
露光により酸を発生し、且つ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)と、 フッ素原子及びケイ素原子から選ばれる少なくとも1種と、塩基の作用により分解して極性が増大する極性変換基とを有する樹脂成分(C)と、を含有するEUV用又はEB用レジスト組成物であって、 前記基材成分(A)は、下記一般式(a0-1)又は(a0-2)で表される基を有する構成単位(a0)を有する高分子化合物(A1)を含有し、 前記樹脂成分(C)を、前記基材成分(A)100質量部に対して1〜15質量部含有することを特徴とするEUV用又はEB用レジスト組成物。
IPC (2件)：
G03F 7/039 ,  H01L 21/027
FI (2件)：
G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
Fターム (49件)：
2H125AF13P ,  2H125AF16P ,  2H125AF17P ,  2H125AF21P ,  2H125AF32P ,  2H125AF34P ,  2H125AF38P ,  2H125AF41P ,  2H125AF70P ,  2H125AH15 ,  2H125AH16 ,  2H125AH17 ,  2H125AH19 ,  2H125AH22 ,  2H125AH23 ,  2H125AH24 ,  2H125AH25 ,  2H125AH29 ,  2H125AJ12X ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ14Y ,  2H125AJ42Y ,  2H125AJ47Y ,  2H125AJ48Y ,  2H125AJ52X ,  2H125AJ64X ,  2H125AJ64Y ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ65Y ,  2H125AL03 ,  2H125AL11 ,  2H125AM12P ,  2H125AM15P ,  2H125AM22P ,  2H125AM32P ,  2H125AM93P ,  2H125AM99P ,  2H125AN02P ,  2H125AN38P ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN54P ,  2H125AN63P ,  2H125BA02P ,  2H125BA26P ,  2H125CA12 ,  2H125CB16 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15
引用特許：
審査官引用 (10件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)
  • Advances in Patterning Materials for 193 nm Immersion Lithography

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