特許
J-GLOBAL ID：201103027810681798
窒化物単結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (6件)：
青木 篤
, 石田 敬
, 古賀 哲次
, 中村 和広
, 小野田 浩之
, 齋藤 都子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-017146
公開番号（公開出願番号）：特開2011-153055
出願日： 2010年01月28日
公開日（公表日）： 2011年08月11日
要約：
【課題】速い育成速度と高い結晶品質とを両立することができる、アモノサーマル法による窒化物単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】耐腐食性オートクレーブ3内で、超臨界又は亜臨界状態にあるアンモニアの存在下、少なくとも1種類の窒化物多結晶を原料6として用い、かつ、少なくとも1種類の酸性鉱化剤をアンモニアに添加して、アモノサーマル法により窒化物多結晶から窒化物単結晶を製造する方法において、オートクレーブ3内には、窒化物多結晶を配置する部位9と、種結晶7を用いて窒化物単結晶を育成する部位10とが存在しており、種結晶7を用いて窒化物単結晶を育成する部位10の温度T1は、650°C〜850°Cであり、かつ、窒化物多結晶を配置する部位9の温度T2よりも、平均温度で、高く保持され、そして耐腐食性オートクレーブ3内の圧力は、40MPa〜250MPaに保持されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
耐腐食性オートクレーブ内で、超臨界又は亜臨界状態にあるアンモニアの存在下、少なくとも1種類の窒化物多結晶を原料として用い、かつ、少なくとも1種類の酸性鉱化剤を該アンモニアに添加して、アモノサーマル法により該窒化物多結晶から窒化物単結晶を製造する方法において、
該オートクレーブ内には、該窒化物多結晶を配置する部位と、種結晶を用いて該窒化物単結晶を育成する部位とが存在しており、
該種結晶を用いて窒化物単結晶を育成する部位の温度(T1)は、650°C〜850°Cであり、かつ、該窒化物多結晶を配置する部位の温度(T2)よりも、平均温度で、高く保持され、そして
該耐腐食性オートクレーブ内の圧力は、40MPa〜250MPaに保持されている、
こと特徴とする、アモノサーマル法による窒化物単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (19件)：
4G077AA01
, 4G077AA02
, 4G077BE15
, 4G077CB04
, 4G077EA02
, 4G077EA04
, 4G077EC03
, 4G077EG02
, 4G077EG25
, 4G077EH07
, 4G077HA02
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077KA01
, 4G077KA03
, 4G077KA09
, 4G077KA11
, 4G077KA12
, 4G077KA15
