特許
J-GLOBAL ID：201403058751192782

光電変換装置

発明者：
三島 隆一

三島 隆一 について

, 
成瀬 裕章

成瀬 裕章 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (2件)： 阿部 琢磨 ,  黒岩 創吾
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-053494
公開番号（公開出願番号）：特開2012-134545
特許番号：特許第5389208号
出願日： 2012年03月09日
公開日（公表日）： 2012年07月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板に配された光電変換素子と、 前記半導体基板上に層間絶縁膜を介して複数の配線層が配された多層配線構造を有する光電変換装置であって、 前記多層配線構造は、最上配線層と、前記最上配線層よりも下層に配される第1の配線層とを有し、 前記第1配線層の上部に、前記第1の配線層に含まれる配線に接して、前記第1の配線層を構成する材料の拡散を抑制する第1の拡散抑制膜が配され、 前記最上配線層の上部に、前記最上配線層に含まれる配線に接して、前記最上配線層を構成する材料の拡散を抑制する第2の拡散抑制膜が配され、前記第2の拡散抑制膜は、前記最上配線層及び前記層間絶縁膜の前記光電変換素子に対応する領域を覆って配されており、 前記第2の拡散抑制膜の前記光電変換素子に対応する領域にレンズが配されており、前記レンズは、前記第2の拡散抑制膜の一部を用いて形成されているかもしくは、前記第2の拡散抑制膜に直接接して配されており、 前記第1の拡散抑制膜の膜厚よりも前記第2の拡散抑制膜の膜厚が厚いことを特徴とする光電変換装置。
IPC (4件)：
H01L 27/14 ( 200 6.01) ,  H01L 27/146 ( 200 6.01) ,  H01L 21/768 ( 200 6.01) ,  H01L 23/532 ( 200 6.01)
FI (4件)：
H01L 27/14 D ,  H01L 27/14 A ,  H01L 21/90 K ,  H01L 21/90 M
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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