特許
J-GLOBAL ID：201403058839238200

シリコン膜の成膜方法および成膜装置

発明者：
大部 智行

大部 智行 について

, 
宮原 孝広

宮原 孝広 について

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永田 朋幸

永田 朋幸 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-285702
公開番号（公開出願番号）：特開2014-127694
出願日： 2012年12月27日
公開日（公表日）： 2014年07月07日
要約：
【課題】 更なる薄膜化の要求に対しても対応可能であり、かつ、表面ラフネスの精度をも改善することが可能なシリコン膜の成膜方法を提供すること。【解決手段】 下地を加熱し、加熱した下地表面上にアミノシラン系ガスを供給し、下地表面上にシード層を形成する工程(ステップ1)と、下地を加熱し、加熱した下地表面のシード層上にアミノ基を含まないシラン系ガスを供給し、シード層上にシリコン膜を形成する工程(ステップ2)と、を備え、ステップ1に用いられるアミノシラン系ガスを、このアミノシラン系ガスの分子式中にシリコンを2つ以上含むものとする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
下地上にシリコン膜を含む膜を成膜する成膜方法であって、 (1) 前記下地を加熱し、前記加熱した下地表面上にアミノシラン系ガスを供給し、前記下地表面上にシード層を形成する工程と、 (2) 前記下地を加熱し、前記加熱した下地表面のシード層上にアミノ基を含まないシラン系ガスを供給し、前記シード層上にシリコン膜を形成する工程と、を備え、 前記(1)工程に用いられる前記アミノシラン系ガスを、このアミノシラン系ガスの分子式中にシリコンを2つ以上含むものとすることを特徴とするシリコン膜の成膜方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/24
FI (2件)：
H01L21/205 ,  C23C16/24
Fターム (34件)：
4K030AA01 ,  4K030AA06 ,  4K030BA29 ,  4K030BB13 ,  4K030CA04 ,  4K030CA17 ,  4K030FA10 ,  4K030GA04 ,  4K030GA06 ,  4K030JA01 ,  4K030JA10 ,  4K030KA04 ,  4K030KA23 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045AB02 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AE21 ,  5F045BB01 ,  5F045DA52 ,  5F045DA53 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ05 ,  5F045EF02 ,  5F045EF03 ,  5F045EF09 ,  5F045EF20 ,  5F045EK06
引用特許：
審査官引用 (4件)
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