特許
J-GLOBAL ID：201403059038744950

半導体装置およびその作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
須澤 英臣

須澤 英臣 について

, 
笹川 慎也

笹川 慎也 について

, 
田中 哲弘

田中 哲弘 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-230364
公開番号（公開出願番号）：特開2014-082389
出願日： 2012年10月17日
公開日（公表日）： 2014年05月08日
要約：
【課題】酸化物半導体層中の酸素欠損の増加を抑制することができる半導体装置を提供する。また、電気特性が良好な半導体装置を提供する。また、信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】酸化物半導体層をチャネル形成領域に含む半導体装置において、酸化物半導体層の下側に接して設けられた酸化物絶縁膜と、酸化物半導体層の上側に接して設けられたゲート絶縁膜と、を用いてイオン注入法により注入された該ゲート絶縁膜中の酸素を酸化物半導体層中に供給する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
酸化物絶縁膜上に酸化物半導体層を形成し、 前記酸化物半導体層上に接して第1のソース電極層および第1のドレイン電極層を形成し、 前記第1のソース電極層および前記第1のドレイン電極層をそれぞれ覆い、且つ前記酸化物半導体層に接する第2のソース電極層および第2のドレイン電極層を形成し、 前記酸化物絶縁膜、前記酸化物半導体層、前記第2のソース電極層、および前記第2のドレイン電極層上にゲート絶縁膜を形成し、 前記ゲート絶縁膜中に酸素を注入し、 前記ゲート絶縁膜中の酸素を前記酸化物半導体層中に供給することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (5件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/425
FI (8件)：
H01L29/78 617V ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 616V ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 M ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/425
Fターム (97件)：
4M104AA03 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB08 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104CC01 ,  4M104DD12 ,  4M104DD13 ,  4M104DD37 ,  4M104DD63 ,  4M104DD72 ,  4M104EE03 ,  4M104EE06 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF08 ,  4M104FF09 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG14 ,  4M104HH15 ,  4M104HH20 ,  5F110AA14 ,  5F110BB03 ,  5F110BB05 ,  5F110BB11 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE30 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF07 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG07 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK21 ,  5F110HK33 ,  5F110HM02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN24 ,  5F110NN28 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110NN74 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (6件)
  • 半導体装置の作製方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-095085   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
  • 薄膜トランジスタおよびその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-239783   出願人：ソニー株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-155488   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
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審査官引用 (6件)
  • 半導体装置の作製方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-095085   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
  • 薄膜トランジスタおよびその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-239783   出願人：ソニー株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-155488   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
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