薄膜圧電素子、薄膜圧電アクチュエータ、及び薄膜圧電センサ、並びにハードディスクドライブ、及びインクジェットプリンタ装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-100335
公開番号（公開出願番号）：特開2014-229902
出願日： 2014年05月14日
公開日（公表日）： 2014年12月08日
要約：

【課題】従来のKNN薄膜を用いた薄膜圧電素子よりもリーク電流を低減するとともに、圧電特性を向上させる薄膜圧電素子を提供する。【解決手段】膜厚方向に複数の結晶粒子が存在する構造のニオブ酸カリウムナトリウム薄膜3と、ニオブ酸カリウムナトリウム薄膜3を挟んで構成された一対の電極膜2,4とを有する薄膜圧電素子10であって、ニオブ酸カリウムナトリウム薄膜3をその膜厚方向に3層の等しい厚さの領域に分割して、各領域の平均結晶粒径A1、A2、A3を求めた場合、A1、A2、A3の最小値:mと、A1、A2、A3の最大値:Mとの比率:m/Mが10%〜80%であり、平均結晶粒径が最小値:mである領域が一対の電極膜2,4のいずれかの電極膜側に存在する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

膜厚方向に複数の結晶粒子が存在する構造のニオブ酸カリウムナトリウム薄膜と、該ニオブ酸カリウムナトリウム薄膜を挟んで構成された一対の電極膜とを有する薄膜圧電素子であって、前記ニオブ酸カリウムナトリウム薄膜をその膜厚方向に3層の等しい厚さの領域に分割して、各領域の平均結晶粒径A1、A2、A3を求めた場合、A1、A2、A3の最小値:mと、A1、A2、A3の最大値:Mとの比率:m/Mが10%〜80%であり、前記平均結晶粒径が最小値:mである領域が前記一対の電極膜のいずれかの電極膜側に存在することを特徴とする薄膜圧電素子。

IPC (12件)：

H01L 41/09 , H01L 41/187 , H01L 41/316 , H01L 41/113 , H01L 41/29 , G11B 5/596 , G11B 21/21 , G11B 21/10 , B41J 2/14 , G01L 1/16 , C23C 14/08 , C01G 33/00

FI (13件)：

H01L41/09 , H01L41/187 , H01L41/316 , H01L41/113 , H01L41/29 , G11B5/596 , G11B21/21 D , G11B21/10 N , B41J2/14 305 , G01L1/16 C , C23C14/08 K , C23C14/08 N , C01G33/00 A

Fターム (34件)：

2C057AF67 , 2C057AF93 , 2C057AP14 , 2C057AP31 , 2C057AP52 , 2C057BA04 , 2C057BA14 , 4C017AA09 , 4C017AC04 , 4G048AA04 , 4G048AA05 , 4G048AB01 , 4G048AC01 , 4G048AD02 , 4G048AE05 , 4K029AA06 , 4K029AA24 , 4K029BA50 , 4K029BB02 , 4K029BD08 , 4K029BD11 , 4K029CA06 , 4K029DC05 , 4K029DC09 , 4K029DC35 , 5D042AA07 , 5D042GA01 , 5D042KA01 , 5D042NA02 , 5D059AA01 , 5D059BA01 , 5D059CA30 , 5D059DA19 , 5D096NN03

引用特許：

審査官引用 (6件)

柱状構造膜とその成膜方法、圧電素子、液体吐出装置、及び圧電型超音波振動子
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-188098 出願人：富士フイルム株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-028606 出願人：シャープ株式会社
圧電材料の製造方法、圧電素子、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-114762 出願人：セイコーエプソン株式会社

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