特許
J-GLOBAL ID：200903039475698869
圧電体薄膜素子及びその製造方法、インクジェットヘッド、並びにインクジェット式記録装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
岩橋 文雄
, 内藤 浩樹
, 永野 大介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-020854
公開番号（公開出願番号）：特開2008-187092
出願日： 2007年01月31日
公開日（公表日）： 2008年08月14日
要約：
【課題】圧電性能とともに耐電圧性能に優れた結晶構造の圧電体薄膜を用いて高性能で信頼性の高い圧電体薄膜素子を得ること。【解決手段】圧電体薄膜層14は、成膜工程を例えば2回に分け、途中に混入異物除去の洗浄工程を組み込んで形成した。大部分の領域が所定膜厚の形成領域16となるが、一部の領域(異物が除去された領域)が所定膜厚よりも薄い膜厚の形成領域17となる形で成膜される。所定膜厚の形成領域16では柱状結晶が膜厚方向に連続的に形成され、優れた圧電特性が得られる。所定膜厚よりも薄い膜厚の形成領域17では、結晶粒界が不連続領域19を挟んで不連続となり、結晶粒径の大きい領域では粒界密度が低減される。この結晶粒界の不連続構造によってリークパスが途切れるので、耐電圧特性が向上する。トータルの領域として優れた圧電特性と耐電圧特性とを具備する結晶構造の圧電体薄膜14による圧電体薄膜素子10が得られる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
所定膜厚を有する圧電体薄膜層と、前記圧電体薄膜層の膜厚方向両側の層面それぞれに成膜した電極層とを備えている圧電体薄膜素子において、
前記圧電体薄膜層は、
大部分の領域が前記所定膜厚で形成され、一部の領域が前記所定膜厚よりも薄い膜厚で形成され、
前記所定膜厚の形成領域は、結晶粒が膜厚方向に沿って一端から他端に渡って柱状に連続的に成長した柱状結晶で構成され、前記所定膜厚よりも薄い膜厚の形成領域は、結晶粒が膜厚方向の一端から他端に渡って連続的に柱状に成長するのではなく、途中に不連続領域が存在する構成である、
ことを特徴とする圧電体薄膜素子。
IPC (6件)：
H01L 41/09
, H01L 41/18
, H01L 41/22
, B41J 2/045
, B41J 2/055
, B41J 2/16
H01L41/08 C
, H01L41/18 101Z
, H01L41/22 Z
, H01L41/08 J
, B41J3/04 103A
, B41J3/04 103H
2C057AF65
, 2C057AF93
, 2C057AG39
, 2C057AG42
, 2C057AG44
, 2C057AP02
, 2C057AP14
, 2C057AP31
, 2C057AP41
, 2C057AP52
, 2C057BA04
, 2C057BA14
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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