特許

J-GLOBAL ID：201403061021457196

グラフェン薄膜とその製造方法

発明者： 吾郷 浩樹 ,  伊藤 由人 ,  田中 伊豆美 ,  水野 清義 ,  辻 正治
出願人/特許権者： 国立大学法人九州大学
代理人 (1件)： 西澤 利夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-528909
特許番号：特許第5641484号
出願日： 2010年08月31日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 グラフェン薄膜が多数のグラフェンドメインから構成され、各ドメインの面積が0.000001μm2〜100000mm2であり、かつドメイン内の六員環の方位がグラフェン薄膜全体にわたって平均的に同一方向を向いていることを特徴とするグラフェン薄膜。

IPC (1件)：

C01B 31/02 ( 200 6.01)

FI (1件)：

C01B 31/02 101 Z

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 単結晶グラフェンシートおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-318418   出願人：三星電子株式会社

引用文献：

出願人引用 (3件)

• Chemical vapor deposition of thin graphite films of nanometer thickness
• Experimental and theoretical study of the morphology of commensurate and incommensurate graphene lay
• Synthesis of graphene on silicon carbide substrates at low temperature