特許

J-GLOBAL ID：201403061868322505

半導体装置

発明者： 佐藤 貴洋 ,  中澤 安孝 ,  長 隆之 ,  越岡 俊介 ,  徳永 肇 ,  神長 正美
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-231888
公開番号（公開出願番号）：特開2014-116588
出願日： 2013年11月08日
公開日（公表日）： 2014年06月26日
要約：

【課題】酸化物半導体膜を用いたトランジスタに安定した電気特性を付与する。また、酸化物半導体膜を用いたトランジスタに優れた電気特性を付与する。また、当該トランジスタを有する信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】酸化物半導体膜及び酸化物膜が積層された多層膜と、ゲート電極と、ゲート絶縁膜とを有するトランジスタについて、多層膜は、ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と重畳して設け、多層膜は、酸化物半導体膜の下面と酸化物半導体膜の側面とでなす第1の角度、及び、酸化物膜の下面と酸化物膜の側面とでなす第2の角度を有する形状であり、第1の角度は、第2の角度よりも小さく、且つ鋭角にする。また、当該トランジスタを用いることで半導体装置を作製する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

酸化物半導体膜及び酸化物膜が積層された多層膜と、ゲート電極と、ゲート絶縁膜とを有し、 前記多層膜は、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と重畳して設けられており、 前記多層膜は、前記酸化物半導体膜の下面と前記酸化物半導体膜の側面とでなす第1の角度、及び、前記酸化物膜の下面と前記酸化物膜の側面とでなす第2の角度を有する形状であり、 前記第1の角度は、前記第2の角度よりも小さく、且つ鋭角であることを特徴とする半導体装置。

IPC (12件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/08 ,  H05B 33/08 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/14 ,  G09F 9/30

FI (14件)：

H01L29/78 618C ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 618Z ,  H01L29/78 619A ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 M ,  H01L27/08 102E ,  H01L27/08 321G ,  H01L27/08 331E ,  H05B33/08 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/14 Z ,  G09F9/30 338

Fターム (131件)：

3K107AA01 ,  3K107AA05 ,  3K107BB01 ,  3K107CC11 ,  3K107CC21 ,  3K107CC42 ,  3K107CC45 ,  3K107EE04 ,  3K107FF15 ,  3K107HH04 ,  4M104AA03 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB08 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104DD78 ,  4M104EE06 ,  4M104EE12 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104EE18 ,  4M104FF13 ,  4M104FF31 ,  4M104GG09 ,  4M104HH15 ,  5C094AA21 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094DA13 ,  5C094FB14 ,  5C094HA08 ,  5F048AB03 ,  5F048AB10 ,  5F048AC01 ,  5F048AC04 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BA19 ,  5F048BA20 ,  5F048BF11 ,  5F048BF16 ,  5F048BG06 ,  5F048BG13 ,  5F048CB01 ,  5F048CB03 ,  5F110AA01 ,  5F110AA03 ,  5F110AA07 ,  5F110BB01 ,  5F110BB09 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD24 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK42 ,  5F110HL02 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN12 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN28 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN74 ,  5F110NN77 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP29 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ09

引用特許：

出願人引用 (7件)

• 薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びにその薄膜トランジスタを備えた装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-200570   出願人：富士フイルム株式会社
• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-243709   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜電界効果型トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-083990   出願人：富士フイルム株式会社
• 半導体装置および、その製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-127930   出願人：キヤノン株式会社
• 酸化物半導体素子及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-008743   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜トランジスタ及び表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-015692   出願人：キヤノン株式会社
• エッチング耐性を有する薄膜トランジスタ、及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-289035   出願人：出光興産株式会社