特許
J-GLOBAL ID：201203088652270706

酸化物半導体素子及び半導体装置

発明者：
肥塚 純一

肥塚 純一 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-008743
公開番号（公開出願番号）：特開2012-164978
出願日： 2012年01月19日
公開日（公表日）： 2012年08月30日
要約：
【課題】半導体層に結晶性を有する酸化物半導体を用いた、移動度の高い酸化物半導体素子を提供する。【解決手段】第1の酸化物半導体膜及び、第1の酸化物半導体膜に接して第1の酸化物半導体膜よりバンドギャップが大きい第2の酸化物半導体膜の積層構造を有する層を酸化物半導体層として用いた。これにより、チャネル領域は、第2の酸化物半導体膜と接する第1の酸化物半導体膜の界面近傍(つまり、バンドギャップが小さい酸化物半導体膜の界面近傍)に形成される。また、第1の酸化物半導体膜と第2の酸化物半導体膜の界面は、お互いの未結合手が結合し合っている。このため、第2の酸化物半導体膜と接する第1の酸化物半導体膜の界面近傍に形成されるチャネル領域では、未結合手による電子トラップなどに起因した移動度の低下を低減できる。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
絶縁表面上の酸化物半導体層と、 前記酸化物半導体層上のゲート絶縁層と、 前記ゲート絶縁層を介して前記酸化物半導体層と重畳するゲート電極と、 前記酸化物半導体層と電気的に接続された一対のソース電極及びドレイン電極を有し、 前記酸化物半導体層は第1の酸化物半導体膜及び第2の酸化物半導体膜の積層構造を有し、 前記第1の酸化物半導体膜及び前記第2の酸化物半導体膜は結晶性を有し、 前記ソース電極と前記ドレイン電極の間隙が前記ゲート電極と重畳し、 前記第2の酸化物半導体膜は前記ソース電極と前記ドレイン電極の間隙において前記ゲート絶縁層及び前記第1の酸化物半導体膜に挟持され、 前記第1の酸化物半導体膜のバンドギャップ値が前記第2の酸化物半導体膜のバンドギャップ値より小さいことを特徴とする、酸化物半導体素子。
IPC (1件)：
H01L 29/786
FI (2件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E
Fターム (79件)：
5F110AA01 ,  5F110AA08 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC02 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG51 ,  5F110GG52 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ18 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110HM03 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110PP01 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ23
引用特許：
審査官引用 (11件)
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