特許
J-GLOBAL ID：201303065213202262
GaNデバイスのための導電率ベースの選択的エッチング及びその用途
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
辻居 幸一
, 熊倉 禎男
, 大塚 文昭
, 西島 孝喜
, 須田 洋之
, 上杉 浩
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-551282
公開番号（公開出願番号）：特表2013-518447
出願日： 2011年01月27日
公開日（公表日）： 2013年05月20日
要約：
本発明は、制御された孔径、孔密度及び多孔率を有する、大面積(1cm2より大きい)にわたってNP 窒化ガリウム(GaN)を生成する方法に関する。さらに、多孔質GaNに基づいた新規の光電子デバイスを生成する方法も開示される。さらに、基板の再利用を含む新しいデバイス製造のパラダイムを可能にする、自立型結晶GaN薄層を分離して作成するための層転写スキームが開示される。本発明の他の開示される実施形態は、GaNベースのナノ結晶の製造、並びに、電気分解、水分解、又は光合成プロセスの用途のためのNP GaN電極の使用に関する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
多孔質GaNを生成する方法であって、
GaNを電解液に曝すステップと、
前記GaNを電源の1つの端子に結合し、前記電解液中に浸漬された電極を前記電源の別の端子に結合して回路を形成するステップと、
前記回路に通電して前記GaNの少なくとも一部分の多孔率を増大させるステップと、
を含むことを特徴とする方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L33/00 186
, H01L21/306 L
5F043AA05
, 5F043AA16
, 5F043BB10
, 5F043DD14
, 5F043EE14
, 5F043FF10
, 5F043GG10
, 5F141AA42
, 5F141CA05
, 5F141CA22
, 5F141CA24
, 5F141CA40
, 5F141CA46
, 5F141CA74
, 5F141CA77
, 5F141CA88
, 5F141FF01
, 5F141FF11
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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