特許
J-GLOBAL ID：201403064798744724

半導体構造体上の無触媒選択的成長方法

発明者：
ジョエル・エイメリ

ジョエル・エイメリ について

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ダミアン・サロモン

ダミアン・サロモン について

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シャオジュン・チェン

シャオジュン・チェン について

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クリストフ・デュラン

クリストフ・デュラン について


出願人/特許権者：
コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ

コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ について


代理人 (4件)： 村山 靖彦 ,  志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  実広 信哉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-503116
公開番号（公開出願番号）：特表2014-518004
出願日： 2012年04月03日
公開日（公表日）： 2014年07月24日
要約：
特にエレクトロニクスに適用可能な本方法によると、半導体構造体(12)が第一のガス又は分子流から形成されて、これと同時に又は後に、第二のガス又は分子流が追加されて、構造体の上に誘電体層(14)をin situで選択的に成長させて、その上に、他の半導体構造体(15)を第三のガス又は分子流から成長させる。
請求項（抜粋）：
第一の半導体構造体(12)上の無触媒選択的成長の方法であって、 第一のガス又は分子流から、基板(6)の上に前記第一の半導体構造体を形成し、 前記第一のガス又は分子流と同時に又は後で、前記第一の半導体構造体(12)の上に誘電体層(14)をin situで選択的に成長させる少なくとも一種の第二のガス又は分子流を追加して、 第三のガス又は分子流から、前記誘電体層(14)が設けられた前記第一の半導体構造体(12)の上に第二の半導体構造体(16)を形成することを特徴とする方法。
IPC (8件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/203 ,  C23C 16/01 ,  C23C 16/04 ,  C23C 14/04 ,  C30B 25/02 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318
FI (9件)：
H01L21/205 ,  H01L21/203 M ,  C23C16/01 ,  C23C16/04 ,  C23C14/04 Z ,  C30B25/02 Z ,  H01L21/316 X ,  H01L21/318 B ,  H01L21/318 C
Fターム (92件)：
4G077AA04 ,  4G077BE11 ,  4G077BE31 ,  4G077BE41 ,  4G077DB01 ,  4G077EE07 ,  4G077EF01 ,  4G077HA01 ,  4G077HA06 ,  4G077TA04 ,  4G077TC14 ,  4K029AA29 ,  4K029BA41 ,  4K029BA43 ,  4K029BA44 ,  4K029BA46 ,  4K029BA58 ,  4K029BB02 ,  4K029BB03 ,  4K029BB09 ,  4K029BD01 ,  4K029CA01 ,  4K029GA05 ,  4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA08 ,  4K030BA10 ,  4K030BA35 ,  4K030BA40 ,  4K030BA42 ,  4K030BA43 ,  4K030BA44 ,  4K030BA53 ,  4K030BA54 ,  4K030BA55 ,  4K030BA56 ,  4K030BA57 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030BB14 ,  4K030CA05 ,  4K030DA02 ,  4K030DA08 ,  4K030FA10 ,  4K030LA12 ,  5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AB01 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB21 ,  5F045AB31 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD14 ,  5F045AE25 ,  5F045AF09 ,  5F045DA56 ,  5F045DB02 ,  5F058BB01 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BC08 ,  5F058BC09 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD10 ,  5F058BD12 ,  5F058BF02 ,  5F058BF06 ,  5F058BF20 ,  5F058BF23 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BH02 ,  5F058BH04 ,  5F058BH05 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ07 ,  5F103AA04 ,  5F103DD01 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103HH04
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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