特許
J-GLOBAL ID：201403066065319256
不揮発性記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-192621
公開番号（公開出願番号）：特開2014-049660
出願日： 2012年08月31日
公開日（公表日）： 2014年03月17日
要約：
【課題】実施形態は、特性を向上させた不揮発性記憶装置を提供する。【解決手段】実施形態に係る不揮発性記憶装置は、第1導電層と、第2導電層と、抵抗変化層と、を含む。前記抵抗変化層は、前記第1導電層と前記第2導電層との間に設けられ、低抵抗状態と高抵抗状態との間を遷移可能であり、ハフニウム(Hf)およびジルコニウム(Zr)の少なくともいずれかと、バリウム(Ba)、ランタン(La)、ガドリニウム(Gd)およびルテチウム(Lu)からなる群より選択される少なくともいずれか1つの元素と、窒素(N)と、を含有する酸化物を含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電層と、
第2導電層と、
前記第1導電層と前記第2導電層との間に設けられ、低抵抗状態と高抵抗状態との間を遷移可能な抵抗変化層であって、ハフニウム(Hf)およびジルコニウム(Zr)の少なくともいずれかと、バリウム(Ba)、ランタン(La)、ガドリニウム(Gd)およびルテチウム(Lu)からなる群より選択される少なくともいずれか1つの元素と、窒素(N)と、を含有する酸化物を含む抵抗変化層と、
を備えた不揮発性記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 27/105
, H01L 27/10
, H01L 45/00
, H01L 49/00
H01L27/10 448
, H01L27/10 481
, H01L45/00 Z
, H01L49/00 Z
5F083FZ10
, 5F083GA10
, 5F083GA11
, 5F083JA35
, 5F083JA36
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA43
, 5F083JA45
, 5F083LA04
, 5F083LA05
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (3件)
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