常温接合装置、常温接合方法、平坦化装置および平坦化方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：工藤実 , 中尾圭策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-030405
公開番号（公開出願番号）：特開2014-160741
出願日： 2013年02月19日
公開日（公表日）： 2014年09月04日
要約：

【課題】複数の基板を接合するとき、接合の信頼性を向上すること。【解決手段】常温接合装置は、第1基板52の第1表面および第2基板42の第2表面に照射される活性化ビームBa、Bbを出射する活性化装置16と、第1表面および第2表面40に活性化ビームBa、Bbが照射された後に、第1表面と第2表面とを接触させることにより、第1基板52と第2基板42とを接合する圧接機構15とを具備している。活性化ビームBa、Bbは、ネオン原子を含むビームである。【選択図】図16

請求項（抜粋）：

第1基板の第1表面および第2基板の第2表面に照射される活性化ビームを出射する活性化装置と、前記第1表面および前記第2表面に前記活性化ビームが照射された後に、前記第1表面と前記第2表面とを接触させることにより、前記第1基板と前記第2基板とを接合する圧接機構とを具備し、前記活性化ビームは、ネオン原子を含むビームである常温接合装置。

IPC (4件)：

H01L 21/02 , B23K 20/00 , B23K 20/26 , B23K 20/24

FI (5件)：

H01L21/02 B , B23K20/00 310P , B23K20/26 , B23K20/24 , B23K20/00 310L

Fターム (6件)：

4E167AA18 , 4E167BA02 , 4E167CA05 , 4E167CA10 , 4E167CB01 , 4E167DA05

引用特許：

審査官引用 (5件)

シリコンウェハーの常温接合法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-268028 出願人：工業技術院長
炭化珪素種結晶の固定方法及び炭化珪素単結晶の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-049627 出願人：昭和電工株式会社
表面処理方法及び表面処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-120920 出願人：兵庫県, 東京エレクトロン株式会社

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