特許
J-GLOBAL ID：201403067482372140
半導体レーザ素子及び半導体レーザモジュール
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (3件)：
長谷川 芳樹
, 黒木 義樹
, 石田 悟
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-228049
公開番号（公開出願番号）：特開2014-082262
出願日： 2012年10月15日
公開日（公表日）： 2014年05月08日
要約：
【課題】複数の駆動電極毎に同じ一方向にレーザビームを出射すると共に、その出射方向を変更することが可能な半導体レーザ素子を提供すること。【解決手段】半導体レーザ素子10Aは、複数のレーザビームを生成し、生成した複数のレーザビームを同一の方向に出力する発振部と、発振部から同一の方向に出力された複数のレーザビームをそれぞれ異なる方向に偏向する偏向部と、を備える。発振部は、下部クラッド層2、上部クラッド層5、活性層3B、第一フォトニック結晶層41、及び複数の駆動電極E2を有する。偏向部は、第二フォトニック結晶層43を有する。第一フォトニック結晶層41は、複数の領域Rに対応する領域にわたり、異屈折率部4Bの配列周期が同じとされた周期構造を有する。第二フォトニック結晶層43は、複数の領域Rに対応する領域毎に、異屈折率部4Bの配列周期が異なる周期構造を有する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
端面発光型の半導体レーザ素子であって、
複数のレーザビームを生成し、生成した複数のレーザビームを同一の方向に出力する発振部と、
前記発振部から同一の方向に出力された複数のレーザビームをそれぞれ異なる方向に偏向して光出射端面から出射させる偏向部と、を備え、
前記発振部は、
基板上に形成された下部クラッド層と、
上部クラッド層と、
前記下部クラッド層と前記上部クラッド層との間に介在する活性層と、
前記活性層と前記上部及び下部クラッド層の少なくともいずれか一方との間に介在する第一フォトニック結晶層と、
前記活性層における、前記光出射端面に平行で且つ前記活性層が延びる方向に並んで位置する複数の領域に駆動電流を供給するための複数の駆動電極と、を有し、
前記偏向部は、
第二フォトニック結晶層を有し、
前記第一フォトニック結晶層は、前記複数の領域に対応する領域にわたり、周囲と屈折率が異なる異屈折率部の配列周期が同じとされた周期構造を有し、
前記第二フォトニック結晶層は、前記複数の領域に対応する領域毎に、周囲と屈折率が異なる異屈折率部の配列周期が異なる周期構造を有している、
ことを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
5F173AB90
, 5F173AD05
, 5F173AD30
, 5F173AH03
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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引用文献：
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