電力用半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：吉竹英俊 , 有田貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-287634
公開番号（公開出願番号）：特開2014-130909
出願日： 2012年12月28日
公開日（公表日）： 2014年07月10日
要約：

【課題】スイッチングデバイスとしてIGBTとMOSFETとを並列動作させて用いる電力用半導体装置において、装置全体を小型化する。【解決手段】IGBT4およびMOSFET10のうち、ゲート制御回路19の近傍に配置されたトランジスタは、ゲート制御回路19から与えられたゲート制御信号を、ゲート制御回路19から遠い位置に配置されたトランジスタのゲートに与える。そして、ゲート制御回路19の近傍に配置されたトランジスタには抵抗素子R1を介してゲート制御信号が与えられる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

第1の電圧を与える第1の電源ラインと第2の電圧を与える第2の電源ラインとの間に直列に介挿され、相補的に動作する第1および第2のスイッチング部によって構成されるインバータと、前記第1および第2のスイッチング部のそれぞれのスイッチング動作を制御する第1および第2の制御回路と、を備え、それらがモジュール化された電力用半導体装置であって、前記第1のスイッチング部は、前記第1の電源ラインにそれぞれの一方の主電極が接続され、前記インバータの出力ノードにそれぞれの他方の主電極が接続された第1のIGBTおよび第1のMOSFETを有し、前記第2のスイッチング部は、前記第2の電源ラインにそれぞれの一方の主電極が接続され、前記インバータの前記出力ノードにそれぞれの他方の主電極が接続された第2のIGBTおよび第2のMOSFETを有し、前記電力用半導体装置の平面レイアウトにおいて、前記第1の制御回路は、前記第1のスイッチング部に対向する位置に配置され、前記第1のIGBTおよび前記第1のMOSFETの一方は、前記第1の制御回路の近傍に配置され、他方はそれよりも前記第1の制御回路から遠い位置に配置され、前記第2の制御回路は、前記第2のスイッチング部に対向する位置に配置され、前記第2のIGBTおよび前記第2のMOSFETの一方は、前記第2の制御回路の近傍に配置され、他方はそれよりも前記第2の制御回路から遠い位置に配置され、前記第1のIGBTおよび前記第1のMOSFETのうち、前記第1の制御回路の近傍に配置されたトランジスタは、前記第1の制御回路から与えられたゲート制御信号を、前記第1の制御回路から遠い位置に配置されたトランジスタのゲートに与え、前記第2のIGBTおよび前記第2のMOSFETのうち、前記第2の制御回路の近傍に配置されたトランジスタは、前記第2の制御回路から与えられたゲート制御信号を、前記第2の制御回路から遠い位置に配置されたトランジスタに与え、前記第1のIGBTおよび前記第1のMOSFETのうち、一方のトランジスタのゲートには前記第1の制御回路から抵抗素子を介してゲート制御信号が与えられ、前記第2のIGBTおよび前記第2のMOSFETのうち、一方のトランジスタのゲートには前記第2の制御回路から抵抗素子を介してゲート制御信号が与えられる、電力用半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 25/07 , H01L 25/18 , H01L 29/78 , H01L 29/739 , H02M 1/08

FI (4件)：

H01L25/04 C , H01L29/78 652Q , H01L29/78 655A , H02M1/08 341B

Fターム (6件)：

5H740BA11 , 5H740BA12 , 5H740BA15 , 5H740BB02 , 5H740PP01 , 5H740PP02

引用特許：

出願人引用 (6件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-310981 出願人：三菱電機株式会社, 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社
特開平4-354156
電力用半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-272961 出願人：三菱電機株式会社

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審査官引用 (6件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-310981 出願人：三菱電機株式会社, 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社
特開平4-354156
電力用半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-272961 出願人：三菱電機株式会社

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