特許
J-GLOBAL ID:201403070265507186
コンタクト洗浄のための方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (7件):
辻居 幸一
, 熊倉 禎男
, 大塚 文昭
, 西島 孝喜
, 須田 洋之
, 上杉 浩
, 鈴木 信彦
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-557775
公開番号(公開出願番号):特表2014-511577
出願日: 2012年03月02日
公開日(公表日): 2014年05月15日
要約:
シリコン及びゲルマニウムのうちの少なくとも一方を含む表面から酸化物を除去するための方法及び装置が提供される。本方法及び装置は、コンタクト構造の金属ケイ化物層から自然酸化物を除去するのに特に適する。本方法及び装置は、エッチング停止層エッチング工程及び自然酸化物除去工程の両方を単一のチャンバ内で好都合に統合し、それによって、基板移送工程の間の自然酸化物の成長又は他の汚染物質の再堆積を排除する。更に、本方法及び装置は、コンタクト構造の幾何学構成及びコンタクト構造内に形成されたトレンチ又はビアの臨界寸法を不都合に変化させることなく、金属ケイ化物層から自然酸化物を効率的に除去する改善された3段階化学反応工程を提供する。【選択図】図5
請求項(抜粋):
基板上に配置された表面から酸化物を除去するための方法であって、
シリコン又はゲルマニウムのうちの少なくとも一方を含む表面上に形成された酸化物層上にポリマー層を形成する段階と、
前記ポリマー層を、前記酸化物層と反応して気相副生成物を形成するように活性化する段階と、
灰化工程を実施して、前記基板から前記ポリマーを除去する段階と、
を含む方法。
IPC (3件):
H01L 21/768
, H01L 21/28
, H01L 21/306
FI (6件):
H01L21/90 C
, H01L21/90 A
, H01L21/28 301D
, H01L21/28 301S
, H01L21/28 L
, H01L21/302 106
Fターム (84件):
4M104AA01
, 4M104AA02
, 4M104BB14
, 4M104BB18
, 4M104BB20
, 4M104BB21
, 4M104BB25
, 4M104BB28
, 4M104CC01
, 4M104DD07
, 4M104DD16
, 4M104DD17
, 4M104DD19
, 4M104DD23
, 4M104DD33
, 4M104DD43
, 4M104DD65
, 4M104DD78
, 4M104DD84
, 4M104EE09
, 4M104FF14
, 4M104HH14
, 4M104HH15
, 5F004AA14
, 5F004CA03
, 5F004DA00
, 5F004DA01
, 5F004DA04
, 5F004DA15
, 5F004DA16
, 5F004DA20
, 5F004DA22
, 5F004DA23
, 5F004DA24
, 5F004DA26
, 5F004DA27
, 5F004EA23
, 5F004EA28
, 5F004EB01
, 5F033GG00
, 5F033GG04
, 5F033JJ07
, 5F033JJ08
, 5F033JJ11
, 5F033JJ15
, 5F033JJ18
, 5F033JJ19
, 5F033JJ21
, 5F033KK01
, 5F033KK04
, 5F033KK18
, 5F033KK19
, 5F033KK25
, 5F033KK27
, 5F033KK28
, 5F033MM07
, 5F033PP06
, 5F033PP09
, 5F033PP11
, 5F033PP12
, 5F033PP14
, 5F033QQ09
, 5F033QQ10
, 5F033QQ12
, 5F033QQ15
, 5F033QQ21
, 5F033QQ25
, 5F033QQ37
, 5F033QQ92
, 5F033QQ94
, 5F033QQ98
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033RR14
, 5F033RR15
, 5F033SS07
, 5F033SS11
, 5F033TT01
, 5F033TT08
, 5F033VV06
, 5F033WW02
, 5F033XX04
, 5F033XX07
, 5F033XX21
引用特許: