特許
J-GLOBAL ID：201403072069989612

化合物半導体積層体及びその製造方法

発明者：
諸原 理

諸原 理 について

, 
外賀 寛崇

外賀 寛崇 について


出願人/特許権者：
旭化成株式会社

旭化成株式会社 について


代理人 (3件)： 森 哲也 ,  小西 恵 ,  田中 秀▲てつ▼
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-029329
公開番号（公開出願番号）：特開2014-157994
出願日： 2013年02月18日
公開日（公表日）： 2014年08月28日
要約：
【課題】Si基板上に、結晶性が良く、かつ表面の平坦性に優れたInAsSbを化合物半導体層として備えた化合物半導体積層体を提供すること。【解決手段】Si基板10と、このSi基板10上に形成された第1の化合物半導体層11と、この第1の化合物半導体層11上に形成された第2の化合物半導体層12とを備えている。第1の化合物半導体層11は、GaAs,GaSb,InAs,InSb及びこれらの混晶のいずれか1つもしくは2つ以上の積層構造である。第2の化合物半導体層12は、InAs1-ySby(0≦y≦0.3)層で、Si基板10の表面の面方位と同じ面に対応するX線回折ピークのロックングカーブの半値幅の値は、1200秒以下であり、第2の化合物半導体層12の10μm四方の領域における表面粗さの二乗平均値は12nm以下である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
Si基板上に第1の化合物半導体層を形成する工程と、 前記第1の化合物半導体層上に、該第1の化合物半導体層を形成するときよりも高温で第2の化合物半導体層を形成する工程とを備える化合物半導体積層体の製造方法であって、 前記第1の化合物半導体層は、III-V族化合物半導体であり、 前記第2の化合物半導体層は、InAs1-xSbx(0 IPC (2件)：
H01L 21/203 ,  H01L 21/20
FI (2件)：
H01L21/203 M ,  H01L21/20
Fターム (25件)：
5F103AA04 ,  5F103BB08 ,  5F103BB54 ,  5F103DD01 ,  5F103DD12 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103NN02 ,  5F103RR06 ,  5F152LL05 ,  5F152LL09 ,  5F152LM08 ,  5F152LN04 ,  5F152LN17 ,  5F152LN21 ,  5F152LN26 ,  5F152MM05 ,  5F152MM07 ,  5F152MM09 ,  5F152MM10 ,  5F152MM13 ,  5F152NN03 ,  5F152NN27 ,  5F152NP05 ,  5F152NQ05
引用特許：
出願人引用 (7件)
全件表示
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM