特許
J-GLOBAL ID：201403073288266681

半導体装置

発明者：
田中 徹

田中 徹 について


出願人/特許権者：
トヨタ自動車株式会社

トヨタ自動車株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-261126
公開番号（公開出願番号）：特開2014-107489
出願日： 2012年11月29日
公開日（公表日）： 2014年06月09日
要約：
【課題】電極層の破損を抑制することができる半導体装置を開示する。【解決手段】半導体装置10は、半導体素子20と、低強度層40と、接合層50と、導電板60を備える。半導体素子20は、半導体基板22と、半導体基板22の表裏面のそれぞれに設けられた電極層30を有している。低強度層40は、電極層30の表面に設けられている。接合層50は、低強度層40の表面に設けられている。導電板60は、接合層50の表面に設けられている。接合層50の強度は、電極層30の強度よりも高く、低強度層40の強度は、電極層30の強度よりも低い。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体装置であって、 その表面に電極層を備える半導体素子と、 電極層の表面に備えられた低強度層と、 低強度層の表面に備えられた接合層と、 接合層の表面に備えられた導電板と、を有しており、 接合層の強度は、電極層の強度よりも高く、 低強度層の強度は、電極層の強度よりも低い、 ことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 23/48 ,  H01L 21/28
FI (2件)：
H01L23/48 G ,  H01L21/28 301R
Fターム (9件)：
4M104AA01 ,  4M104BB03 ,  4M104CC01 ,  4M104DD37 ,  4M104FF13 ,  4M104GG02 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  4M104HH20
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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