相変化メモリおよび半導体記録再生装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-048050
公開番号（公開出願番号）：特開2014-175528
出願日： 2013年03月11日
公開日（公表日）： 2014年09月22日
要約：

【課題】低消費電力化を図ることができる超格子相変化メモリおよび半導体記録再生装置を提供する。【解決手段】SnXTe100-X膜とSb2Te3膜とを積層形成することにより得られるSnXTe100-X/Sb2Te3超格子膜は、SnTeとSb2Te3からなるSnTe/Sb2Te3超格子相と、SnSbTe合金相と、Te相とを含むように構成され、SnTe/Sb2Te3超格子相は、SnSbTe合金相とTe相で希釈されている構成をしている。このとき、SnXTe100-X膜のXは、4原子%≦X≦55原子%である。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

Sn、Sb、および、Teを含有する記録再生膜を備え、前記記録再生膜は、 SnTeとSb2Te3からなるSnTe/Sb2Te3超格子相と、 SnSbTe合金相と、 Te相と、を含む、相変化メモリ。

IPC (3件)：

H01L 27/105 , H01L 45/00 , G11C 13/00

FI (3件)：

H01L27/10 448 , H01L45/00 A , G11C13/00 110P

Fターム (12件)：

5F083FZ10 , 5F083GA05 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA42 , 5F083JA43 , 5F083JA56 , 5F083JA60 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083MA19 , 5F083NA01

引用特許：

出願人引用 (6件)

相変化メモリ
公報種別：公表公報出願番号：特願2011-501791 出願人：マイクロンテクノロジー,インク.
薄膜の製造方法およびこれを用いた相変化メモリ素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-155150 出願人：三星電子株式会社
選択的に成長された相変化層を備える相変化メモリ素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-004946 出願人：三星電子株式会社

全件表示

審査官引用 (6件)

相変化メモリ
公報種別：公表公報出願番号：特願2011-501791 出願人：マイクロンテクノロジー,インク.
薄膜の製造方法およびこれを用いた相変化メモリ素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-155150 出願人：三星電子株式会社
選択的に成長された相変化層を備える相変化メモリ素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-004946 出願人：三星電子株式会社

全件表示

引用文献：

出願人引用 (1件)

Effect of interfacial oxide layer on the switching uniformity of Ge2Sb2Te5-based resistive change me

審査官引用 (1件)

Effect of interfacial oxide layer on the switching uniformity of Ge2Sb2Te5-based resistive change me

前のページに戻る