特許
J-GLOBAL ID：200903008596943876

選択的に成長された相変化層を備える相変化メモリ素子及びその製造方法

発明者：
申 雄▲チュル▼

申 雄▲チュル▼ について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-004946
公開番号（公開出願番号）：特開2008-182227
出願日： 2008年01月11日
公開日（公表日）： 2008年08月07日
要約：
【課題】選択的に成長された相変化層を備える相変化メモリ素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】相変化層を備えるストレージノードと、それに連結されたスイッチング素子と、を備える相変化メモリ素子において、相変化層は、相変化層の選択的成長のためのシード層上に備えられたことを特徴とする相変化メモリ素子及びその製造方法である。前記シード層は、下部電極上に備えられる。前記下部電極と前記シード層との間に下部電極コンタクト層がさらに備えられる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
相変化層を備えるストレージノードと、それに連結されたスイッチング素子と、を備える相変化メモリ素子において、 前記相変化層は、前記相変化層の選択的成長のためのシード層上に形成されたことを特徴とする相変化メモリ素子。
IPC (2件)：
H01L 27/105 ,  H01L 45/00
FI (2件)：
H01L27/10 448 ,  H01L45/00 A
Fターム (15件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083PR21 ,  5F083PR40
引用特許：
審査官引用 (11件)
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