半導体装置の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-212080
公開番号（公開出願番号）：特開2014-053624
出願日： 2013年10月09日
公開日（公表日）： 2014年03月20日
要約：

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置を提供することを課題の一とする。また、高信頼性の半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層、ソース領域及びドレイン領域を酸化物半導体層とする薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体層の純度を高め、不純物である水分などを低減する加熱処理(脱水化または脱水素化のための加熱処理)を行う。かつ、加熱処理を行った酸化物半導体層を酸素雰囲気下で徐冷する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上方に、ゲート電極層を形成する工程と、前記ゲート電極層上方に、ゲート絶縁層を形成する工程と、前記ゲート絶縁層上方に、第1の酸化物半導体層と、第2の酸化物半導体層と、を形成する工程と、前記第1の酸化物半導体層及び前記第2の酸化物半導体層を、不活性気体雰囲気下で加熱する工程と、前記第1の酸化物半導体層及び前記第2の酸化物半導体層を、酸素を含む雰囲気下で冷却する工程と、前記第2の酸化物半導体層上方に、ソース電極層及びドレイン電極層を形成する工程と、前記第1の酸化物半導体層の一部と接する領域と、前記第2の酸化物半導体層の一部と接する領域と、を有する酸化物絶縁層を形成する工程と、を有し、前記第1の酸化物半導体層は、In、Ga、及びZnを含み、前記第2の酸化物半導体層は、In、Ga、及びZnを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (7件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/28 , H05B 33/10 , H05B 33/08 , H01L 51/50 , H05B 33/14

FI (10件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 627Z , H01L29/78 616V , H01L29/78 616U , H01L21/28 301B , H01L21/28 301R , H05B33/10 , H05B33/08 , H05B33/14 A , H05B33/14 Z

Fターム (103件)：

3K107AA01 , 3K107AA05 , 3K107BB01 , 3K107CC21 , 3K107CC23 , 3K107EE04 , 3K107GG26 , 3K107GG28 , 3K107HH04 , 4M104AA03 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104EE14 , 4M104EE15 , 4M104EE17 , 4M104FF18 , 4M104GG08 , 5F110AA08 , 5F110AA14 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE23 , 5F110EE30 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG15 , 5F110GG22 , 5F110GG25 , 5F110GG34 , 5F110GG43 , 5F110GG57 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK08 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL07 , 5F110HL09 , 5F110HL22 , 5F110HL23 , 5F110HL27 , 5F110NN04 , 5F110NN05 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN25 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110NN40 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP10 , 5F110PP13 , 5F110PP35 , 5F110PP38 , 5F110QQ01 , 5F110QQ02 , 5F110QQ09 , 5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (5件)

薄膜トランジスタ、その製造方法及びそれを用いた表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-196038 出願人：キヤノン株式会社
基板の熱処理方法および熱処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-293665 出願人：大日本スクリーン製造株式会社
発光装置とその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-036044 出願人：キヤノン株式会社

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