特許
J-GLOBAL ID：201403076315140309
SiC単結晶の評価方法およびそれを適用したSiC単結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
青木 篤
, 石田 敬
, 古賀 哲次
, 関根 宣夫
, 堂垣 泰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-242162
公開番号（公開出願番号）：特開2014-092411
出願日： 2012年11月01日
公開日（公表日）： 2014年05月19日
要約：
【課題】結晶中に窒素を5x1015atom/cm3以上の濃度で含むSiC単結晶の窒素濃度を非破壊的に評価し得るSiC単結晶中の評価方法、およびSiC単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】SiC単結晶の表面に前記SiC単結晶よりも屈折率の高い光学媒質を接触させ、前記SiC単結晶と前記光学媒質との界面に赤外線を照射し、得られた赤外線スペクトルから966〜971cm-1の範囲で吸収波数のピーク値が変化する吸収ピーク強度を求め、得られた吸収ピーク強度に基いてSiC単結晶中の窒素濃度を評価するSiC単結晶の評価方法、および前記評価方法を含むSiC単結晶の製造方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
結晶中の窒素濃度を評価するSiC単結晶の評価方法であって、
(1)SiC単結晶の表面に前記SiC単結晶よりも屈折率の高い光学媒質を接触させ、
(2)前記SiC単結晶と前記光学媒質との界面に赤外線を照射し、
(3)得られた赤外線スペクトルから966〜971cm-1の範囲で吸収波数のピーク値が変化する吸収ピーク強度を求め、
(4)得られた吸収ピーク強度に基いてSiC単結晶中の窒素濃度を評価する、
前記方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
2G059AA01
, 2G059BB08
, 2G059CC02
, 2G059EE01
, 2G059EE10
, 2G059EE12
, 2G059HH01
, 2G059MM12
