特許
J-GLOBAL ID：201103070493369824
n型SiC単結晶の製造方法、それによって得られるn型SiC単結晶およびその用途
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
青木 篤
, 石田 敬
, 古賀 哲次
, 関根 宣夫
, 堂垣 泰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-257117
公開番号（公開出願番号）：特開2011-102206
出願日： 2009年11月10日
公開日（公表日）： 2011年05月26日
要約：
【課題】応力を低減したn型SiC単結晶を製造する方法、前記の方法によって得られる応力を低減したn型SiC単結晶およびその用途を提供する。【解決手段】溶液法によるSiC単結晶の製造において、n型半導体とするためのドナー元素である窒素およびアルミニウムの濃度を各々[N]および[Al]で表わしたときに、窒素とアルミニウムとの濃度比を、1≦[N]/[Al]≦50として融液に添加し、SiC種結晶を浸漬することにより、n型SiC単結晶を成長させる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
SiCに対して、n型半導体とするためのドナー元素である窒素(N)およびアルミニウム(Al)を添加してn型SiC単結晶を成長させることを特徴とするn型SiC単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B29/36 A
, C30B19/00 Z
4G077AA02
, 4G077BE08
, 4G077CG02
, 4G077CG07
, 4G077EB01
, 4G077HA12
, 4G077QA04
, 4G077QA27
