特許
J-GLOBAL ID：201403077177409268
表示装置製造用フォトマスク、及びパターン転写方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
特許業務法人 津国
, 津国 肇
, 柳橋 泰雄
, 伊藤 佐保子
, 小澤 圭子
, 柴田 明夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-210145
公開番号（公開出願番号）：特開2014-102496
出願日： 2013年10月07日
公開日（公表日）： 2014年06月05日
要約：
【課題】 露光時のフォーカスマージンが大きくなるようなフォトマスクを得る。【解決手段】 転写用パターンを有する表示装置製造用フォトマスクにおいて、前記転写用パターンは、透光部からなる、径が4μm以下の主パターンと、前記主パターンの周辺に配置された、露光により解像しない幅をもつ透光部からなる補助パターンとを有し、前記主パターンを透過する露光光と、前記補助パターンを透過する露光光との間には、互いに実質的に位相差がなく、前記主パターンの中心と、前記補助パターンの幅の中心との間の距離をピッチP(μm)とするとき、前記主パターンを透過する露光光と、前記補助パターンを透過する露光光とによって生じる光の干渉によって生じる、±1次の回折光が、前記露光に用いる露光機の光学系に入射するように、前記ピッチPが設定されていることを特徴とする、表示装置製造用フォトマスクである。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
透明基板上に成膜した、少なくとも遮光膜をパターニングすることによって形成された、遮光部と、透光部とを含む転写用パターンを有する表示装置製造用フォトマスクにおいて、
前記転写用パターンは、透光部からなる、径が4μm以下の主パターンと、
前記主パターンの周辺に配置された、主パターンの径より小さな幅をもつ、透光部又は半透光部からなる補助パターンとを有し、
前記主パターンを透過する露光光と、前記補助パターンを透過する露光光との位相差は0度以上90度以下であり、
前記主パターンの中心と、前記補助パターンの幅の中心との間の距離をピッチP(μm)とするとき、
前記主パターンを透過する露光光と、前記補助パターンを透過する露光光とによる光の干渉によって生じる、±1次の回折光が、前記露光に用いる露光機の光学系に入射するように、前記ピッチPが設定されていることを特徴とする、表示装置製造用フォトマスク。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
2H095BB02
, 2H095BC09
, 2H192AA24
, 2H192HA35
, 2H192HA66
, 2H192HA91
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (11件)
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