特許
J-GLOBAL ID：201203024677135422
フォトマスク、フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-216714
公開番号（公開出願番号）：特開2012-073326
出願日： 2010年09月28日
公開日（公表日）： 2012年04月12日
要約：
【課題】微細パターンを擁するフォトマスクにおいて、レジスト膜および遮光膜の薄膜化が可能であり、パターン形成プロセスにおいて生じるマイクロローディング現象や微細パターンの倒壊を回避して、微細かつ高精度なパターンが得られるフォトマスク、フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法を提供すること。【解決手段】透明基板上の一方の面にパターニングされた単層または複数の層からなる第一の膜を備え、かつ前記透明基板の反対面にパターニングされた単層または複数の層からなる第二の膜を備えることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
透明基板上の一方の面にパターニングされた単層または複数の層からなる第一の膜を備え、かつ前記透明基板の反対面にパターニングされた単層または複数の層からなる第二の膜を備えることを特徴とするフォトマスク。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
2H095BB02
, 2H095BB03
, 2H095BB16
, 2H095BC09
, 2H095BC24
