基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体

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出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：井上俊夫 , 瀧澤宣明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-159850
公開番号（公開出願番号）：特開2014-022566
出願日： 2012年07月18日
公開日（公表日）： 2014年02月03日
要約：

【課題】基板を処理容器に搬入するまでの乾燥防止用のフッ素含有有機溶剤の揮発、及び処理容器内におけるフッ素含有有機溶剤の分解を抑えることが可能な基板処理方法などを提供する。【解決手段】表面が第1のフッ素含有有機溶剤によって覆われた基板Wを処理容器31内に搬入し、この処理容器31に、沸点が第1のフッ素含有有機溶剤よりも低い第2のフッ素含有有機溶剤を原料とする高圧流体を供給する。そして処理容器31内に前記第1のフッ素含有有機溶剤と第2のフッ素含有有機溶剤との混合物の高圧流体雰囲気を形成して、基板の表面を覆う第1のフッ素含有有機溶剤を除去し、処理容器31内の流体を高圧流体または気体の状態で排出して乾燥した基板Wを得る。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

表面にパターンが形成された基板を液処理した後に供給され、当該基板の表面を覆うフッ素含有有機溶剤を高圧流体と接触させて除去する基板処理方法であって、表面が第1のフッ素含有有機溶剤によって覆われた基板を処理容器内に搬入する工程と、前記基板を収容した処理容器に、沸点が前記第1のフッ素含有有機溶剤よりも低い第2のフッ素含有有機溶剤を原料とする高圧流体を供給することにより、または、前記第2のフッ素含有有機溶剤の気体または液体を供給した後、前記臨界温度以上の温度に加熱して高圧流体とすることにより、当該処理容器内に前記第1のフッ素含有有機溶剤と第2のフッ素含有有機溶剤との混合物の高圧流体雰囲気を形成する工程と、次いで、前記処理容器内の流体を高圧流体または気体の状態で排出する工程と、を含むことを特徴とする基板処理方法。

IPC (1件)：

H01L 21/304

FI (3件)：

H01L21/304 647Z , H01L21/304 651Z , H01L21/304 643A

Fターム (9件)：

5F157AA09 , 5F157AB44 , 5F157AC03 , 5F157AC23 , 5F157CB26 , 5F157CE55 , 5F157CF34 , 5F157CF90 , 5F157DA21

引用特許：

審査官引用 (6件)

超臨界処理装置、基板処理システム及び超臨界処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-001786 出願人：東京エレクトロン株式会社
超臨界処理装置及び超臨界処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-049567 出願人：東京エレクトロン株式会社, エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社
半導体基板の超臨界乾燥方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-254922 出願人：株式会社東芝

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