半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：日向寺雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-213161
公開番号（公開出願番号）：特開2014-067927
出願日： 2012年09月26日
公開日（公表日）： 2014年04月17日
要約：

【課題】高い耐圧及び安定した閾値を得ることができる半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、構造体と、絶縁膜と、制御電極と、を含む。前記構造体は、第1面を有し、第1導電形の炭化珪素を含む第1半導体領域と、第2導電形の炭化珪素を含む第2半導体領域と、第1導電形の炭化珪素を含む第3半導体領域と、を含む。構造体は、前記第1面に沿った第1方向に前記第1半導体領域、前記第2半導体領域及び前記第3半導体領域がこの順に並ぶ部分を有する。前記絶縁膜は、前記第1面の上に設けられる。前記制御電極は、前記絶縁膜の上に設けられる。前記構造体は、前記第2半導体領域と前記第1面との間に設けられた埋め込み領域を有する。前記埋め込み領域においては、V族の元素が導入されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1面を有する構造体であって、第1導電形の炭化珪素を含む第1半導体領域と、第2導電形の炭化珪素を含む第2半導体領域と、第1導電形の炭化珪素を含む第3半導体領域と、を含み、前記第1面に沿った第1方向に前記第1半導体領域、前記第2半導体領域及び前記第3半導体領域がこの順に並ぶ部分を有する構造体と、前記構造体の前記第1面の上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜の上に設けられた制御電極と、を備え、前記構造体は、前記第2半導体領域と前記第1面との間に設けられV族の元素が導入された埋め込み領域を有する半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 29/12 , H01L 29/739

FI (5件)：

H01L29/78 652K , H01L29/78 658F , H01L29/78 652T , H01L29/78 655A , H01L29/78 652E

引用特許：

審査官引用 (4件)

ワイドバンドギャップ半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-128227 出願人：株式会社日立製作所
半導体素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-023599 出願人：株式会社東芝
半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-031093 出願人：国立大学法人京都大学

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