特許
J-GLOBAL ID：200903022661144709

半導体素子の製造方法

発明者：
木本 恒暢

木本 恒暢 について

, 
須田 淳

須田 淳 について

, 
河野 広明

河野 広明 について


出願人/特許権者：
国立大学法人京都大学

国立大学法人京都大学 について


代理人 (1件)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-031093
公開番号（公開出願番号）：特開2006-216918
出願日： 2005年02月07日
公開日（公表日）： 2006年08月17日
要約：
【課題】 チャネル移動度が高い半導体素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 SiCからなる半導体基板上に酸化膜が形成された半導体素子の製造方法において、上記SiCを酸化させない条件で、SiO2からなる酸化膜を、上記半導体基板上に形成する酸化膜形成工程と、上記酸化膜と上記半導体基板との界面のSiCを酸窒化させることにより、酸窒化膜を形成する酸窒化膜形成工程とを含む製造方法である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
SiCからなる半導体基板上に酸化膜が形成された半導体素子の製造方法において、 上記SiCを酸化させない条件で、上記半導体基板上にSiO2を形成することにより、当該SiO2からなる酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、 上記酸化膜と上記半導体基板との界面のSiCを酸窒化させることにより、酸窒化膜を形成する酸窒化膜形成工程とを含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/336
FI (4件)：
H01L29/78 652K ,  H01L29/78 652T ,  H01L21/318 M ,  H01L29/78 658F
Fターム (9件)：
5F058BB01 ,  5F058BC02 ,  5F058BC12 ,  5F058BF02 ,  5F058BF29 ,  5F058BF56 ,  5F058BF62 ,  5F058BF64 ,  5F058BJ01
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (11件)
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引用文献：
審査官引用 (3件)

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