特許
J-GLOBAL ID：201403080619015540

金フリー・オーミックコンタクト

発明者：
チェラカラ,ラム・ヴイ

チェラカラ,ラム・ヴイ について

, 
カジオール,トーマス・イー

カジオール,トーマス・イー について

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ラロッシュ,ジェフリー・アール

ラロッシュ,ジェフリー・アール について


出願人/特許権者：
レイセオン カンパニー

レイセオン カンパニー について


代理人 (5件)： 小野 新次郎 ,  小林 泰 ,  竹内 茂雄 ,  山本 修 ,  夫馬 直樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-513545
公開番号（公開出願番号）：特表2014-515562
出願日： 2012年05月18日
公開日（公表日）： 2014年06月30日
要約：
半導体と、半導体とオーム性接触する金フリー電気伝導構造体と、シリコンの層によって分離された一対の電気伝導層と、を有する半導体構造体を提供する。構造体は、半導体と接触して配置された耐熱性金属層を包含し、シリコンの層によって分離される電気伝導層の対のうちの一方は、耐熱性金属層である。シリコンの第2層は、一対の電気伝導層の一組の第2の一方に配置され、シリコンの第2層上の第3の電気的に貢献する層を包含する。ある実施形態では、半導体はIII-V材料を含む。
請求項（抜粋）：
III-V半導体と 半導体とオーム性接触する金フリー電気伝導構造体と を有するデバイス。
IPC (5件)：
H01L 29/812 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417
FI (4件)：
H01L29/80 F ,  H01L29/80 H ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 J
Fターム (18件)：
4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB14 ,  4M104BB25 ,  4M104CC01 ,  4M104DD35 ,  4M104DD84 ,  4M104FF13 ,  4M104GG12 ,  4M104GG18 ,  4M104HH20 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01
引用特許：
審査官引用 (7件)
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